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MIAA20WB600TMH

MIAA20WB600TMH

참조 용

부품 번호 MIAA20WB600TMH
PNEDA 부품 번호 MIAA20WB600TMH
설명 MODULE IGBT CBI
제조업체 IXYS
단가 견적 요청
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 7월 24 - 7월 29 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MIAA20WB600TMH 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MIAA20WB600TMH
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-모듈
데이터 시트
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PDFMIAA20WB600TMH 데이터 시트 표지
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MIAA20WB600TMH 사양

제조업체IXYS
시리즈-
IGBT 유형NPT
구성Three Phase Inverter with Brake
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)29A
전력-최대100W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.7V @ 15V, 20A
전류-수집기 차단 (최대)1.1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce0.9nF @ 25V
입력Three Phase Bridge Rectifier
NTC 서미스터Yes
작동 온도-40°C ~ 125°C (TJ)
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스MiniPack2
공급자 장치 패키지MiniPack2

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Infineon Technologies

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-

구성

Full Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전력-최대

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

-

전류-수집기 차단 (최대)

-

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

-

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-25°C ~ 55°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

IFF450B12ME4PB11BPSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

EconoDUAL™ 3

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

450A

전력-최대

40W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 450A

전류-수집기 차단 (최대)

3mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

28nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

APTGT400U120D4G

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Single

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

600A

전력-최대

2250W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 400A

전류-수집기 차단 (최대)

8mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

28nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

D4

공급자 장치 패키지

D4

APTGF500U60D4G

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

구성

Single

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

625A

전력-최대

2000W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.45V @ 15V, 500A

전류-수집기 차단 (최대)

500µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

26nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

D4

공급자 장치 패키지

D4

APT80GP60J

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

POWER MOS 7®

IGBT 유형

PT

구성

Single

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

151A

전력-최대

462W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 80A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

9.84nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

ISOTOP®

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