MHT1108NT1
참조 용
| 부품 번호 | MHT1108NT1 |
| PNEDA 부품 번호 | MHT1108NT1 |
| 설명 | RF POWER LDMOS TRANSISTOR FOR CO |
| 제조업체 | NXP |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 4,338 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 6월 16 - 6월 21 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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MHT1108NT1 리소스
| 브랜드 | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | MHT1108NT1 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-RF |
| 데이터 시트 |
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MHT1108NT1 사양
| 제조업체 | NXP USA Inc. |
| 시리즈 | - |
| 트랜지스터 유형 | LDMOS |
| 주파수 | 2.45GHz |
| 이득 | 18.6dB |
| 전압-테스트 | 32V |
| 전류 정격 (Amps) | 10µA |
| 소음 수치 | - |
| 현재-테스트 | 110mA |
| 전원-출력 | 12.5W |
| 전압-정격 | 65V |
| 패키지 / 케이스 | 16-VDFN Exposed Pad |
| 공급자 장치 패키지 | 16-DFN (4x6) |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS 주파수 1.4GHz 이득 18dB 전압-테스트 50V 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 - 현재-테스트 150mA 전원-출력 330W 전압-정격 100V 패키지 / 케이스 NI-780S 공급자 장치 패키지 NI-780S |
제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS 주파수 2.3GHz 이득 14.9dB 전압-테스트 28V 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 - 현재-테스트 750mA 전원-출력 66W 전압-정격 65V 패키지 / 케이스 NI-1230-4LS2L 공급자 장치 패키지 NI-1230-4LS2L |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 * 트랜지스터 유형 - 주파수 - 이득 - 전압-테스트 - 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 - 현재-테스트 - 전원-출력 - 전압-정격 - 패키지 / 케이스 - 공급자 장치 패키지 - |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 트랜지스터 유형 N-Channel JFET 주파수 - 이득 - 전압-테스트 - 전류 정격 (Amps) 15mA 소음 수치 - 현재-테스트 - 전원-출력 - 전압-정격 25V 패키지 / 케이스 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지 TO-92-3 |
제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS 주파수 1.805GHz ~ 1.88GHz 이득 18.7dB 전압-테스트 28V 전류 정격 (Amps) 10µA 소음 수치 - 현재-테스트 1.5A 전원-출력 280W 전압-정격 65V 패키지 / 케이스 OM-880X-2L2L 공급자 장치 패키지 OM-880X-2L2L |
