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MCP14A0301T-E/KBA

MCP14A0301T-E/KBA

참조 용

부품 번호 MCP14A0301T-E/KBA
PNEDA 부품 번호 MCP14A0301T-E-KBA
설명 3.0A SINGLE INV MOSFET DRIVER WI
제조업체 Microchip Technology
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MCP14A0301T-E/KBA 리소스

브랜드 Microchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MCP14A0301T-E/KBA
분류반도체전력 관리 ICPMIC-게이트 드라이버

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MCP14A0301T-E/KBA 사양

제조업체Microchip Technology
시리즈-
구동 구성High-Side or Low-Side
채널 유형Single
드라이버 수1
게이트 유형IGBT
전압-공급4.5V ~ 18V
논리 전압-VIL, VIH0.8V, 2V
전류-피크 출력 (소스, 싱크)3A, 3A
입력 유형Inverting, Non-Inverting
높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)-
상승 / 하강 시간 (일반)13ns, 12ns
작동 온도-40°C ~ 125°C (TA)
장착 유형Surface Mount, Wettable Flank
패키지 / 케이스8-WFDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지8-WDFN (2x2)

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

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드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

4.6V ~ 13.2V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

-

입력 유형

Inverting, Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

35V

상승 / 하강 시간 (일반)

20ns, 11ns

작동 온도

-20°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-VFDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

8-DFN (3x3)

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Texas Instruments

제조업체

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

8V ~ 17V

논리 전압-VIL, VIH

3V, 8V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

3A, 3A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

120V

상승 / 하강 시간 (일반)

8ns, 7ns

작동 온도

-40°C ~ 140°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerSOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO PowerPad

MCP14A0602T-E/SN

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Single

드라이버 수

1

게이트 유형

N-Channel, P-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 18V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

6A, 6A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

10ns, 10ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

IR21814PBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

IGBT, N-Channel MOSFET

전압-공급

10V ~ 20V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.7V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

1.9A, 2.3A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

600V

상승 / 하강 시간 (일반)

40ns, 20ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

14-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

14-DIP

IRS2106STRPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

IGBT, N-Channel MOSFET

전압-공급

10V ~ 20V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.5V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

290mA, 600mA

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

600V

상승 / 하강 시간 (일반)

100ns, 35ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

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