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MCM2301-TP

MCM2301-TP

참조 용

부품 번호 MCM2301-TP
PNEDA 부품 번호 MCM2301-TP
설명 P-CHANNEL,MOSFETS,DFN2020-6L PAC
제조업체 Micro Commercial Co
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재고 있음 7,002
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MCM2301-TP 리소스

브랜드 Micro Commercial Co
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MCM2301-TP
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
MCM2301-TP, MCM2301-TP 데이터 시트 (총 페이지: 4, 크기: 380.25 KB)
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MCM2301-TP 사양

제조업체Micro Commercial Co
시리즈-
FET 유형2 P-Channel (Dual)
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)3.8A
Rds On (최대) @ Id, Vgs70mOhm @ 1.9A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id0.9V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs14.5nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds880pF @ 6V
전력-최대1.4W
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스6-VDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지DFN2020-6

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제조업체

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FET 유형

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

1.3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

38nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

2.4W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-XDFN

공급자 장치 패키지

6-DFN (2.7x1.8)

SH8J31GZETB

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

70mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

40nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2500pF @ 10V

전력-최대

2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOP

APTM20DUM08TG

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

200V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

208A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

10mOhm @ 104A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 5mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

280nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

14400pF @ 25V

전력-최대

781W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP4

공급자 장치 패키지

SP4

MCQ4559-TP

Micro Commercial Co

제조업체

Micro Commercial Co

시리즈

-

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.5A, 3.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

80mOhm @ 3.1A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

9nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

665pF @ 15V

전력-최대

2W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOP

DMC3025LNS-13

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

Automotive, AEC-Q101

FET 유형

N and P-Channel Complementary

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7.2A (Ta), 6.8A (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

25mOhm @ 7A, 10V, 28mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

4.6nC @ 4.5V, 9.5nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

500pF @ 15V, 1188pF @ 15V

전력-최대

1.2W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerVDFN

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