MCH6605-TL-EX
참조 용
| 부품 번호 | MCH6605-TL-EX |
| PNEDA 부품 번호 | MCH6605-TL-EX |
| 설명 | INTEGRATED CIRCUIT |
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 6,048 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 6월 26 - 7월 1 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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MCH6605-TL-EX 리소스
| 브랜드 | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | MCH6605-TL-EX |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
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MCH6605-TL-EX 사양
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | - |
| FET 기능 | - |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | - |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | - |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | - |
| Vgs (th) (최대) @ Id | - |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | - |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | - |
| 전력-최대 | - |
| 작동 온도 | - |
| 장착 유형 | - |
| 패키지 / 케이스 | - |
| 공급자 장치 패키지 | - |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 EPC 시리즈 eGaN® FET 유형 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap) FET 기능 GaNFET (Gallium Nitride) 드레인-소스 전압 (Vdss) 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 1.7A, 500mA Rds On (최대) @ Id, Vgs 320mOhm @ 2A, 5V, 3.3Ohm @ 2A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 16pF @ 50V, 7pF @ 50V 전력-최대 - 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 9-VFBGA 공급자 장치 패키지 9-BGA (1.35x1.35) |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 N and P-Channel FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 8V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 1.3A Rds On (최대) @ Id, Vgs 175mOhm @ 1.2A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 전력-최대 400mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지 SC-88/SC70-6/SOT-363 |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - FET 유형 4 N-Channel FET 기능 Silicon Carbide (SiC) 드레인-소스 전압 (Vdss) 1200V (1.2kV) 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 147A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs 17mOhm @ 100A, 20V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 30mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 332nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 5576pF @ 1000V 전력-최대 750W 작동 온도 -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Chassis Mount 패키지 / 케이스 Module 공급자 장치 패키지 SP3 |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - FET 유형 - FET 기능 - 드레인-소스 전압 (Vdss) - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) - Rds On (최대) @ Id, Vgs - Vgs (th) (최대) @ Id - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 전력-최대 - 작동 온도 - 장착 유형 - 패키지 / 케이스 - 공급자 장치 패키지 - |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 11.3A, 18.1A Rds On (최대) @ Id, Vgs 5.4mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 22.2nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1153pF @ 15V 전력-최대 1.1W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지 8-DFN (5x6) |
