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MC1413BDR2G

MC1413BDR2G

참조 용

부품 번호 MC1413BDR2G
PNEDA 부품 번호 MC1413BDR2G
설명 TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 61,188
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 17 - 6월 22 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MC1413BDR2G 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MC1413BDR2G
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-어레이
데이터 시트
MC1413BDR2G, MC1413BDR2G 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 185.91 KB)
PDFMC1413DG 데이터 시트 표지
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MC1413BDR2G 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
트랜지스터 유형7 NPN Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대)500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic1.6V @ 500µA, 350mA
전류-수집기 차단 (최대)-
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce1000 @ 350mA, 2V
전력-최대-
주파수-전환-
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지16-SOIC

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STMicroelectronics

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트랜지스터 유형

8 NPN Darlington

전류-수집기 (Ic) (최대)

500mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1.6V @ 500µA, 350mA

전류-수집기 차단 (최대)

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

1000 @ 350mA, 2V

전력-최대

2.25W

주파수-전환

-

작동 온도

-40°C ~ 105°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

18-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

18-DIP

CA3083MZ

Renesas Electronics America Inc.

제조업체

Renesas Electronics America Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

5 NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

15V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

700mV @ 5mA, 50mA

전류-수집기 차단 (최대)

10µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

40 @ 50mA, 3V

전력-최대

500mW

주파수-전환

450MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

16-SOIC

PEMT1,115

Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

*

트랜지스터 유형

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

-

전류-수집기 차단 (최대)

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

-

전력-최대

-

주파수-전환

-

작동 온도

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-563, SOT-666

공급자 장치 패키지

SOT-666

SSM6G18NU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

*

트랜지스터 유형

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

-

전류-수집기 차단 (최대)

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

-

전력-최대

-

주파수-전환

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

HN2A01FE-Y(TE85L,F

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

트랜지스터 유형

2 PNP (Dual)

전류-수집기 (Ic) (최대)

150mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 10mA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

120 @ 2mA, 6V

전력-최대

100mW

주파수-전환

80MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-563, SOT-666

공급자 장치 패키지

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