MC1413BDR2G
참조 용
| 부품 번호 | MC1413BDR2G |
| PNEDA 부품 번호 | MC1413BDR2G |
| 설명 | TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO |
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 61,188 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 7월 11 - 7월 16 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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MC1413BDR2G 리소스
| 브랜드 | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | MC1413BDR2G |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 |
| 데이터 시트 |
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MC1413BDR2G 사양
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 시리즈 | - |
| 트랜지스터 유형 | 7 NPN Darlington |
| 전류-수집기 (Ic) (최대) | 500mA |
| 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) | 50V |
| Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic | 1.6V @ 500µA, 350mA |
| 전류-수집기 차단 (최대) | - |
| DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce | 1000 @ 350mA, 2V |
| 전력-최대 | - |
| 주파수-전환 | - |
| 작동 온도 | 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 공급자 장치 패키지 | 16-SOIC |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈 * 트랜지스터 유형 - 전류-수집기 (Ic) (최대) - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic - 전류-수집기 차단 (최대) - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce - 전력-최대 - 주파수-전환 - 작동 온도 - 장착 유형 - 패키지 / 케이스 - 공급자 장치 패키지 - |
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 트랜지스터 유형 2 NPN (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대) 700mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 15V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 300mV @ 10mA, 200mA 전류-수집기 차단 (최대) 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 300 @ 10mA, 2V 전력-최대 550mW 주파수-전환 330MHz 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지 6-MCPH |
