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MBRT60045R

MBRT60045R

참조 용

부품 번호 MBRT60045R
PNEDA 부품 번호 MBRT60045R
설명 DIODE MODULE 45V 600A 3TOWER
제조업체 GeneSiC Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 7,236
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MBRT60045R 리소스

브랜드 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MBRT60045R
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-배열
데이터 시트
MBRT60045R, MBRT60045R 데이터 시트 (총 페이지: 3, 크기: 685 KB)
PDFMBRT60080R 데이터 시트 표지
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MBRT60045R 사양

제조업체GeneSiC Semiconductor
시리즈-
다이오드 구성1 Pair Common Anode
다이오드 유형Schottky
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)45V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)600A (DC)
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If750mV @ 300A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)-
전류-역방향 누설 @ Vr1mA @ 20V
작동 온도-접합-
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스Three Tower
공급자 장치 패키지Three Tower

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전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

500A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

750mV @ 250A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

1mA @ 20V

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

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다이오드 구성

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다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

30V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

500mV @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

100µA @ 30V

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

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Surface Mount

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Taiwan Semiconductor Corporation

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다이오드 구성

1 Pair Common Cathode

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

150V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

20A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.02V @ 20A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

100µA @ 150V

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Through Hole

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시리즈

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다이오드 구성

1 Pair Common Cathode

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

200V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

3A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1V @ 3A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

35ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 200V

작동 온도-접합

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Surface Mount

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전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

250A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

730mV @ 250A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

8mA @ 60V

작동 온도-접합

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