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MBR60030CT

MBR60030CT

참조 용

부품 번호 MBR60030CT
PNEDA 부품 번호 MBR60030CT
설명 DIODE MODULE 30V 300A 2TOWER
제조업체 GeneSiC Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 5,652
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MBR60030CT 리소스

브랜드 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MBR60030CT
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-배열
데이터 시트
MBR60030CT, MBR60030CT 데이터 시트 (총 페이지: 3, 크기: 713.46 KB)
PDFMBR60035CTR 데이터 시트 표지
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MBR60030CT 사양

제조업체GeneSiC Semiconductor
시리즈-
다이오드 구성1 Pair Common Cathode
다이오드 유형Schottky
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)30V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)300A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If750mV @ 300A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)-
전류-역방향 누설 @ Vr1mA @ 20V
작동 온도-접합-
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스Twin Tower
공급자 장치 패키지Twin Tower

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Powerex Inc.

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

280A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

2.5V @ 280A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

120ns

전류-역방향 누설 @ Vr

1mA @ 600V

작동 온도-접합

-40°C ~ 150°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

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다이오드 구성

1 Pair Common Cathode

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

120V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

5A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

940mV @ 5A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

500µA @ 120V

작동 온도-접합

-40°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

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다이오드 구성

1 Pair Common Cathode

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

100V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

10A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

850mV @ 10A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

150µA @ 100V

작동 온도-접합

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Through Hole

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다이오드 구성

1 Pair Common Cathode

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

60V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

150A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

820mV @ 200A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

4mA @ 60V

작동 온도-접합

-

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Comchip Technology

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-

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1 Pair Common Anode

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

70V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

215mA (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.25V @ 150mA

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

6ns

전류-역방향 누설 @ Vr

2.5µA @ 70V

작동 온도-접합

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Surface Mount

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