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M24C02-WDW6T

M24C02-WDW6T

참조 용

부품 번호 M24C02-WDW6T
PNEDA 부품 번호 M24C02-WDW6T
설명 IC EEPROM 2K I2C 400KHZ 8TSSOP
제조업체 STMicroelectronics
단가
1 ---------- $408.8867
50 ---------- $389.7201
100 ---------- $370.5535
200 ---------- $351.3870
400 ---------- $335.4148
500 ---------- $319.4427
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M24C02-WDW6T 리소스

브랜드 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호M24C02-WDW6T
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
M24C02-WDW6T, M24C02-WDW6T 데이터 시트 (총 페이지: 42, 크기: 735.96 KB)
PDFM24C02-WBN6P 데이터 시트 표지
M24C02-WBN6P 데이터 시트 페이지 2 M24C02-WBN6P 데이터 시트 페이지 3 M24C02-WBN6P 데이터 시트 페이지 4 M24C02-WBN6P 데이터 시트 페이지 5 M24C02-WBN6P 데이터 시트 페이지 6 M24C02-WBN6P 데이터 시트 페이지 7 M24C02-WBN6P 데이터 시트 페이지 8 M24C02-WBN6P 데이터 시트 페이지 9 M24C02-WBN6P 데이터 시트 페이지 10 M24C02-WBN6P 데이터 시트 페이지 11

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M24C02-WDW6T 사양

제조업체STMicroelectronics
시리즈-
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷EEPROM
기술EEPROM
메모리 크기2Kb (256 x 8)
메모리 인터페이스I²C
시계 주파수400kHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지5ms
접근 시간900ns
전압-공급2.5V ~ 5.5V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
공급자 장치 패키지8-TSSOP

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메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

2Kb (256 x 8)

메모리 인터페이스

I²C

시계 주파수

1MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

400ns

전압-공급

2.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TA)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

8-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

8-PDIP

71V35761SA200BGI

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, SDR

메모리 크기

4.5Mb (128K x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

200MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

3.1ns

전압-공급

3.135V ~ 3.465V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

119-BGA

공급자 장치 패키지

119-PBGA (14x22)

QMP29GL512P11TFI010

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

GL-P

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

512Mb (32M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

공급자 장치 패키지

56-TSOP

W29GL032CT7A

Winbond Electronics

제조업체

Winbond Electronics

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

32Mb (4M x 8, 2M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

70ns

접근 시간

70ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

48-TFBGA

공급자 장치 패키지

48-TFBGA (6x8)

CY7C144AV-25AXCT

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Dual Port, Asynchronous

메모리 크기

64Kb (8K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

25ns

접근 시간

25ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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