LM5112SD
참조 용
| 부품 번호 | LM5112SD |
| PNEDA 부품 번호 | LM5112SD |
| 설명 | IC MOSFET GATE DVR TINY 7A 6WSON |
| 제조업체 | Texas Instruments |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 7,164 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 7월 7 - 7월 12 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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LM5112SD 리소스
| 브랜드 | Texas Instruments |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | LM5112SD |
| 분류 | 반도체 › 전력 관리 IC › PMIC-게이트 드라이버 |
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LM5112SD 사양
| 제조업체 | |
| 시리즈 | - |
| 구동 구성 | Low-Side |
| 채널 유형 | Single |
| 드라이버 수 | 1 |
| 게이트 유형 | N-Channel MOSFET |
| 전압-공급 | 3.5V ~ 14V |
| 논리 전압-VIL, VIH | 0.8V, 2.3V |
| 전류-피크 출력 (소스, 싱크) | 3A, 7A |
| 입력 유형 | Inverting, Non-Inverting |
| 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩) | - |
| 상승 / 하강 시간 (일반) | 14ns, 12ns |
| 작동 온도 | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 6-WDFN Exposed Pad |
| 공급자 장치 패키지 | 6-WSON (3x3) |
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제조업체 Renesas Electronics America Inc. 시리즈 - 구동 구성 Low-Side 채널 유형 Independent 드라이버 수 2 게이트 유형 N-Channel MOSFET 전압-공급 4.5V ~ 16V 논리 전압-VIL, VIH 1.22V, 2.08V 전류-피크 출력 (소스, 싱크) 6A, 6A 입력 유형 Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩) - 상승 / 하강 시간 (일반) 20ns, 20ns 작동 온도 -40°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-WDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지 8-TDFN (3x3) |
제조업체 Renesas Electronics America Inc. 시리즈 - 구동 구성 Half-Bridge 채널 유형 Synchronous 드라이버 수 2 게이트 유형 N-Channel MOSFET 전압-공급 6.8V ~ 13.2V 논리 전압-VIL, VIH - 전류-피크 출력 (소스, 싱크) 2.5A, 4A 입력 유형 Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩) 36V 상승 / 하강 시간 (일반) 13ns, 10ns 작동 온도 0°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 10-VFDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지 10-DFN (3x3) |
제조업체 Maxim Integrated 시리즈 - 구동 구성 Low-Side 채널 유형 Synchronous 드라이버 수 2 게이트 유형 N-Channel MOSFET 전압-공급 4.5V ~ 15V 논리 전압-VIL, VIH - 전류-피크 출력 (소스, 싱크) 3A, 3A 입력 유형 RC Input Circuit 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩) - 상승 / 하강 시간 (일반) 10ns, 10ns 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Exposed Pad 공급자 장치 패키지 14-TSSOP-EP |
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