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LH5116-10

LH5116-10

참조 용

부품 번호 LH5116-10
PNEDA 부품 번호 LH5116-10
설명 IC SRAM 16K PARALLEL 24DIP
제조업체 Sharp Microelectronics
단가 견적 요청
재고 있음 5,598
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 22 - 4월 27 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

LH5116-10 리소스

브랜드 Sharp Microelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호LH5116-10
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
LH5116-10, LH5116-10 데이터 시트 (총 페이지: 11, 크기: 95.51 KB)
PDFLH5116-10 데이터 시트 표지
LH5116-10 데이터 시트 페이지 2 LH5116-10 데이터 시트 페이지 3 LH5116-10 데이터 시트 페이지 4 LH5116-10 데이터 시트 페이지 5 LH5116-10 데이터 시트 페이지 6 LH5116-10 데이터 시트 페이지 7 LH5116-10 데이터 시트 페이지 8 LH5116-10 데이터 시트 페이지 9 LH5116-10 데이터 시트 페이지 10 LH5116-10 데이터 시트 페이지 11

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LH5116-10 사양

제조업체Sharp Microelectronics
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷SRAM
기술SRAM
메모리 크기16Kb (2K x 8)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수-
쓰기주기 시간-단어, 페이지100ns
접근 시간100ns
전압-공급4.5V ~ 5.5V
작동 온도0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스24-DIP (0.600", 15.24mm)
공급자 장치 패키지24-DIP

관심을 가질만한 제품

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제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH

메모리 크기

512Kb (64K x 8)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

100MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 105°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

W25X10CLUXIG TR

Winbond Electronics

제조업체

Winbond Electronics

시리즈

SpiFlash®

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH

메모리 크기

1Mb (128K x 8)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

104MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

800µs

접근 시간

-

전압-공급

2.3V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-UFDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

8-USON (2x3)

BR25H160FVM-2CTR

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

Automotive, AEC-Q100

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

16Kb (2K x 8)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

10MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

4ms

접근 시간

-

전압-공급

2.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-VSSOP, 8-MSOP (0.110", 2.80mm Width)

공급자 장치 패키지

8-MSOP

MT29F4G08ABADAWP:D

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NAND

메모리 크기

4Gb (512M x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

공급자 장치 패키지

48-TSOP I

MT53D8DBNZ-DC

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

*

메모리 유형

-

메모리 포맷

-

기술

-

메모리 크기

-

메모리 인터페이스

-

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

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