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LE2416DXATBG

LE2416DXATBG

참조 용

부품 번호 LE2416DXATBG
PNEDA 부품 번호 LE2416DXATBG
설명 IC EEPROM 16K I2C 1MHZ 6WLCSP
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 7월 17 - 7월 22 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

LE2416DXATBG 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호LE2416DXATBG
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
LE2416DXATBG, LE2416DXATBG 데이터 시트 (총 페이지: 17, 크기: 289.91 KB)
PDFLE2416DXATBG 데이터 시트 표지
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LE2416DXATBG 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷EEPROM
기술EEPROM
메모리 크기16Kb (2K x 8)
메모리 인터페이스I²C
시계 주파수1MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지5ms
접근 시간450ns
전압-공급1.7V ~ 3.6V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스6-XFBGA, WLCSP
공급자 장치 패키지6-WLCSP (1.2x0.80)

관심을 가질만한 제품

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Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

256Kb (32K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

10ms

접근 시간

90ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

공급자 장치 패키지

28-SOIC

AS4C64M16D3-12BINTR

Alliance Memory, Inc.

제조업체

Alliance Memory, Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - DDR3

메모리 크기

1Gb (64M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

800MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

20ns

전압-공급

1.425V ~ 1.575V

작동 온도

-40°C ~ 95°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

96-TFBGA

공급자 장치 패키지

96-FBGA (9x13)

SST39VF6402B-70-4C-B1KE

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

SST39 MPF™

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH

메모리 크기

64Mb (4M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

10µs

접근 시간

70ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

48-TFBGA

공급자 장치 패키지

48-TFBGA

S29GL032N11WEI039

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

GL-N

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

32Mb (4M x 8, 2M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

110ns

접근 시간

110ns

전압-공급

1.65V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

Die

공급자 장치 패키지

Wafer

GD25LQ05CEIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

제조업체

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

512Kb (64K x 8)

메모리 인터페이스

SPI - Quad I/O

시계 주파수

104MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

50µs, 2.4ms

접근 시간

-

전압-공급

1.65V ~ 2.1V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-XFDFN Exposed Pad

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