KSK596PCWD
참조 용
| 부품 번호 | KSK596PCWD |
| PNEDA 부품 번호 | KSK596PCWD |
| 설명 | JFET N-CH 20V 0.1W TO-92S |
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 8,586 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 6월 17 - 6월 22 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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KSK596PCWD 리소스
| 브랜드 | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | KSK596PCWD |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-JFET |
| 데이터 시트 |
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KSK596PCWD 사양
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | N-Channel |
| 전압-항복 (V (BR) GSS) | 20V |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | - |
| 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 100µA @ 5V |
| 전류 드레인 (Id)-최대 | 1mA |
| 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id | 600mV @ 1µA |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 3.5pF @ 5V |
| 저항-RDS (켜짐) | - |
| 전력-최대 | 100mW |
| 작동 온도 | 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 패키지 / 케이스 | TO-226-3, TO-92-3 Short Body |
| 공급자 장치 패키지 | TO-92S |
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS) - 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0) 1.2mA @ 10V 전류 드레인 (Id)-최대 10mA 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id 180mV @ 1µA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 4pF @ 10V 저항-RDS (켜짐) 200 Ohms 전력-최대 200mW 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지 3-CP |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS) 30V 드레인-소스 전압 (Vdss) - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0) 50mA @ 20V 전류 드레인 (Id)-최대 - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 10pF @ 12V (VGS) 저항-RDS (켜짐) 30 Ohms 전력-최대 350mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지 TO-92-3 |
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS) 35V 드레인-소스 전압 (Vdss) - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0) 20mA @ 15V 전류 드레인 (Id)-최대 - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id 3V @ 1µA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 저항-RDS (켜짐) 30 Ohms 전력-최대 625mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지 TO-92-3 |
