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KSK596PCWD

KSK596PCWD

참조 용

부품 번호 KSK596PCWD
PNEDA 부품 번호 KSK596PCWD
설명 JFET N-CH 20V 0.1W TO-92S
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 8,586
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KSK596PCWD 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호KSK596PCWD
분류반도체트랜지스터트랜지스터-JFET
데이터 시트
KSK596PCWD, KSK596PCWD 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 47.49 KB)
PDFKSK596ABU 데이터 시트 표지
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KSK596PCWD 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
FET 유형N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS)20V
드레인-소스 전압 (Vdss)-
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)100µA @ 5V
전류 드레인 (Id)-최대1mA
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id600mV @ 1µA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds3.5pF @ 5V
저항-RDS (켜짐)-
전력-최대100mW
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-226-3, TO-92-3 Short Body
공급자 장치 패키지TO-92S

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FET 유형

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전압-항복 (V (BR) GSS)

30V

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

90mA @ 18V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

10V @ 1nA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

25pF @ 15V

저항-RDS (켜짐)

75 Ohms

전력-최대

500mW

작동 온도

-65°C ~ 200°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-206AA, TO-18-3 Metal Can

공급자 장치 패키지

TO-18 (TO-206AA)

2SK3666-3-TB-E

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

1.2mA @ 10V

전류 드레인 (Id)-최대

10mA

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

180mV @ 1µA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

4pF @ 10V

저항-RDS (켜짐)

200 Ohms

전력-최대

200mW

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

3-CP

2N5638_D26Z

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

30V

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

50mA @ 20V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

10pF @ 12V (VGS)

저항-RDS (켜짐)

30 Ohms

전력-최대

350mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

2N5116

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

-

FET 유형

-

전압-항복 (V (BR) GSS)

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

-

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

저항-RDS (켜짐)

-

전력-최대

-

작동 온도

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-206AA, TO-18-3 Metal Can

공급자 장치 패키지

TO-206AA (TO-18)

J111_D27Z

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

35V

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

20mA @ 15V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

3V @ 1µA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

저항-RDS (켜짐)

30 Ohms

전력-최대

625mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

공급자 장치 패키지

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