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KSD2012YTU

KSD2012YTU

참조 용

부품 번호 KSD2012YTU
PNEDA 부품 번호 KSD2012YTU
설명 TRANS NPN 60V 3A TO-220F
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 3,348
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 7월 21 - 7월 26 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

KSD2012YTU 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호KSD2012YTU
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
KSD2012YTU, KSD2012YTU 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 165.23 KB)
PDFKSD2012YTU 데이터 시트 표지
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KSD2012YTU 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
트랜지스터 유형NPN
전류-수집기 (Ic) (최대)3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic1V @ 200mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대)100µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce100 @ 500mA, 5V
전력-최대25W
주파수-전환3MHz
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-220-3 Full Pack
공급자 장치 패키지TO-220F

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

1A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 50mA, 1A

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

135 @ 100mA, 2V

전력-최대

750mW

주파수-전환

120MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

KSH127TF

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP - Darlington

전류-수집기 (Ic) (최대)

8A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

100V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

4V @ 80mA, 8A

전류-수집기 차단 (최대)

10µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

1000 @ 4A, 4V

전력-최대

1.75W

주파수-전환

-

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

공급자 장치 패키지

D-Pak

BC859BLT1G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

30V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

650mV @ 5mA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

15nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

220 @ 2mA, 5V

전력-최대

300mW

주파수-전환

100MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23-3 (TO-236)

BC857BLP-7B

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

45V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

650mV @ 5mA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

15nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

220 @ 2mA, 5V

전력-최대

250mW

주파수-전환

100MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

3-UFDFN

공급자 장치 패키지

3-DFN1006 (1.0x0.6)

BCX53-16,135

Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

1A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

80V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 50mA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 150mA, 2V

전력-최대

1.3W

주파수-전환

145MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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