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KBU6B

KBU6B

참조 용

부품 번호 KBU6B
PNEDA 부품 번호 KBU6B
설명 BRIDGE RECT 1PHASE 100V 6A KBU
제조업체 GeneSiC Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 8,124
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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KBU6B 리소스

브랜드 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호KBU6B
분류반도체다이오드 및 정류기브리지 정류기
데이터 시트
KBU6B, KBU6B 데이터 시트 (총 페이지: 3, 크기: 418.19 KB)
PDFKBU6G 데이터 시트 표지
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KBU6B 사양

제조업체GeneSiC Semiconductor
시리즈-
다이오드 유형Single Phase
기술Standard
전압-피크 역방향 (최대)100V
전류-평균 정류 (Io)6A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1V @ 6A
전류-역방향 누설 @ Vr10µA @ 50V
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스4-SIP, KBU
공급자 장치 패키지KBU

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다이오드 유형

Single Phase

기술

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전압-피크 역방향 (최대)

1kV

전류-평균 정류 (Io)

4A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1V @ 4A

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 50V

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

4-SIP, KBU

공급자 장치 패키지

KBU

KBU1001G T0G

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

다이오드 유형

Single Phase

기술

Standard

전압-피크 역방향 (최대)

50V

전류-평균 정류 (Io)

10A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 10A

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 50V

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

4-SIP, KBU

공급자 장치 패키지

KBU

BU2508-M3/45

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Single Phase

기술

Standard

전압-피크 역방향 (최대)

800V

전류-평균 정류 (Io)

3.5A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.05V @ 12.5A

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 600V

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

4-SIP, BU

공급자 장치 패키지

isoCINK+™ BU

VS-2KBP08

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

*

다이오드 유형

-

기술

-

전압-피크 역방향 (최대)

-

전류-평균 정류 (Io)

-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

전류-역방향 누설 @ Vr

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

G5SBA20-M3/45

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Single Phase

기술

Standard

전압-피크 역방향 (최대)

200V

전류-평균 정류 (Io)

2.8A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.05V @ 3A

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 200V

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

4-SIP, GBU

공급자 장치 패키지

GBU

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