JANTXV2N7335
참조 용
| 부품 번호 | JANTXV2N7335 |
| PNEDA 부품 번호 | JANTXV2N7335 |
| 설명 | MOSFET 4P-CH 100V 0.75A MO-036AB |
| 제조업체 | Microsemi |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 8,460 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 7월 23 - 7월 28 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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JANTXV2N7335 리소스
| 브랜드 | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | JANTXV2N7335 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
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JANTXV2N7335 사양
| 제조업체 | Microsemi Corporation |
| 시리즈 | Military, MIL-PRF-19500/599 |
| FET 유형 | 4 P-Channel |
| FET 기능 | Standard |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 100V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 750mA |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 1.4Ohm @ 500mA, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 4V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | - |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | - |
| 전력-최대 | 1.4W |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 패키지 / 케이스 | 14-DIP (0.300", 7.62mm) |
| 공급자 장치 패키지 | MO-036AB |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Nexperia USA Inc. 시리즈 Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 40A Rds On (최대) @ Id, Vgs 6mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.1V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 35.4nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 3281pF @ 25V 전력-최대 68W 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SOT-1205, 8-LFPAK56 공급자 장치 패키지 LFPAK56D |
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 6A Rds On (최대) @ Id, Vgs 20mOhm @ 4.8A, 4V Vgs (th) (최대) @ Id 1.2V @ 200µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 22nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 2010pF @ 10V 전력-최대 450mW 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SOP (5.5x6.0) |
제조업체 Nexperia USA Inc. 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 13A Rds On (최대) @ Id, Vgs 82.5mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 13.6nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 811pF @ 25V 전력-최대 38W 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SOT-1205, 8-LFPAK56 공급자 장치 패키지 LFPAK56D |
제조업체 Rohm Semiconductor 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 300mA Rds On (최대) @ Id, Vgs 600mOhm @ 300mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 전력-최대 150mW 작동 온도 - 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-SMD (5 Leads), Flat Lead 공급자 장치 패키지 EMT5 |
제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 TrenchFET® FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 6A Rds On (최대) @ Id, Vgs 30mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 11nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 320pF @ 15V 전력-최대 10.4W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 PowerPAK® ChipFET™ Dual 공급자 장치 패키지 PowerPAK® ChipFet Dual |
