JANTXV1N6629US
참조 용
| 부품 번호 | JANTXV1N6629US |
| PNEDA 부품 번호 | JANTXV1N6629US |
| 설명 | DIODE GEN PURP 800V 1.4A D5B |
| 제조업체 | Microsemi |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 6,732 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 7월 22 - 7월 27 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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JANTXV1N6629US 리소스
| 브랜드 | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | JANTXV1N6629US |
| 분류 | 반도체 › 다이오드 및 정류기 › 정류기-싱글 |
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JANTXV1N6629US 사양
| 제조업체 | Microsemi Corporation |
| 시리즈 | - |
| 다이오드 유형 | Standard |
| 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) | 800V |
| 전류-평균 정류 (Io) | 1.4A |
| 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If | 1.4V @ 1.4A |
| 속도 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| 역 복구 시간 (trr) | 60ns |
| 전류-역방향 누설 @ Vr | 2µA @ 800V |
| 커패시턴스 @ Vr, F | 40pF @ 10V, 1MHz |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | SQ-MELF, E |
| 공급자 장치 패키지 | D-5B |
| 작동 온도-접합 | -65°C ~ 150°C |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Micro Commercial Co 시리즈 - 다이오드 유형 Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 100V 전류-평균 정류 (Io) 5A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 850mV @ 5A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 1µA @ 100V 커패시턴스 @ Vr, F 200pF @ 4V, 1MHz 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 DO-214AA, SMB 공급자 장치 패키지 DO-214AA (SMB) 작동 온도-접합 -55°C ~ 150°C |
제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 SBR® 다이오드 유형 Super Barrier 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 20V 전류-평균 정류 (Io) 8A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 510mV @ 8A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 500µA @ 20V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 PowerDI™ 5 공급자 장치 패키지 PowerDI™ 5 작동 온도-접합 -65°C ~ 150°C |
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 eSMP®, TMBS® 다이오드 유형 Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 100V 전류-평균 정류 (Io) 8A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 780mV @ 8A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 200µA @ 100V 커패시턴스 @ Vr, F 810pF @ 4V, 1MHz 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 DO-221BC, SMA Flat Leads Exposed Pad 공급자 장치 패키지 DO-221BC (SMPA) 작동 온도-접합 -40°C ~ 175°C |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 SWITCHMODE™ 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 1000V 전류-평균 정류 (Io) 4A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.85V @ 4A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 100ns 전류-역방향 누설 @ Vr 25µA @ 1000V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 DO-201AA, DO-27, Axial 공급자 장치 패키지 DO-201AD 작동 온도-접합 -65°C ~ 175°C |
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 eSMP® 다이오드 유형 Avalanche 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 600V 전류-평균 정류 (Io) 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.25V @ 1A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 140ns 전류-역방향 누설 @ Vr 1µA @ 600V 커패시턴스 @ Vr, F 12.5pF @ 4V, 1MHz 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 DO-220AA 공급자 장치 패키지 DO-220AA (SMP) 작동 온도-접합 -55°C ~ 175°C |
