JANTXV1N5807URS
참조 용
| 부품 번호 | JANTXV1N5807URS |
| PNEDA 부품 번호 | JANTXV1N5807URS |
| 설명 | DIODE GEN PURP 50V 3A BPKG |
| 제조업체 | Microsemi |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 3,996 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 7월 24 - 7월 29 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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JANTXV1N5807URS 리소스
| 브랜드 | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | JANTXV1N5807URS |
| 분류 | 반도체 › 다이오드 및 정류기 › 정류기-싱글 |
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JANTXV1N5807URS 사양
| 제조업체 | Microsemi Corporation |
| 시리즈 | Military, MIL-PRF-19500/477 |
| 다이오드 유형 | Standard |
| 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) | 50V |
| 전류-평균 정류 (Io) | 3A |
| 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If | 875mV @ 4A |
| 속도 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| 역 복구 시간 (trr) | 30ns |
| 전류-역방향 누설 @ Vr | 5µA @ 50V |
| 커패시턴스 @ Vr, F | 60pF @ 10V, 1MHz |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | SQ-MELF, B |
| 공급자 장치 패키지 | B, SQ-MELF |
| 작동 온도-접합 | -65°C ~ 175°C |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 - 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 50V 전류-평균 정류 (Io) 1.5A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.1V @ 1.5A 속도 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 5µA @ 50V 커패시턴스 @ Vr, F 8pF @ 4V, 1MHz 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 DO-204AC, DO-15, Axial 공급자 장치 패키지 DO-204AC (DO-15) 작동 온도-접합 -55°C ~ 150°C |
제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈 - 다이오드 유형 Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 150V 전류-평균 정류 (Io) 8A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 550mV @ 8A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 500µA @ 150V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-220-2 Full Pack 공급자 장치 패키지 ITO-220AC 작동 온도-접합 -55°C ~ 125°C |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 - 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 600V 전류-평균 정류 (Io) 150A (DC) 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.9V @ 150A 속도 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 27µA @ 600V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 Die 공급자 장치 패키지 Sawn on foil 작동 온도-접합 -40°C ~ 175°C |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 Automotive, AEC-Q101 다이오드 유형 Silicon Carbide Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 1200V 전류-평균 정류 (Io) 30A (DC) 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If - 속도 No Recovery Time > 500mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 0ns 전류-역방향 누설 @ Vr 200µA @ 1200V 커패시턴스 @ Vr, F 1220pF @ 1V, 100KHz 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-247-2 공급자 장치 패키지 TO-247-2 작동 온도-접합 -55°C ~ 175°C |
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈 - 다이오드 유형 Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 30V 전류-평균 정류 (Io) 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 230mV @ 100mA 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 500µA @ 30V 커패시턴스 @ Vr, F 135pF @ 0V, 1MHz 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SC-76, SOD-323 공급자 장치 패키지 USC 작동 온도-접합 125°C (Max) |
