JANTX2N7373
참조 용
| 부품 번호 | JANTX2N7373 |
| PNEDA 부품 번호 | JANTX2N7373 |
| 설명 | TRANS NPN 80V 5A TO254 |
| 제조업체 | Microsemi |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 6,390 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 6월 26 - 7월 1 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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JANTX2N7373 리소스
| 브랜드 | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | JANTX2N7373 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-양극 (BJT)-단일 |
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JANTX2N7373 사양
| 제조업체 | Microsemi Corporation |
| 시리즈 | Military, MIL-PRF-19500/613 |
| 트랜지스터 유형 | NPN |
| 전류-수집기 (Ic) (최대) | 5A |
| 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) | 80V |
| Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic | 1.5V @ 500mA, 5A |
| 전류-수집기 차단 (최대) | 50µA |
| DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce | 70 @ 2.5A, 5V |
| 전력-최대 | 4W |
| 주파수-전환 | - |
| 작동 온도 | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 패키지 / 케이스 | TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads) |
| 공급자 장치 패키지 | TO-254AA |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈 - 트랜지스터 유형 NPN 전류-수집기 (Ic) (최대) 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 600mV @ 200mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대) 1µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 70 @ 500mA, 2V 전력-최대 2W 주파수-전환 80MHz 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-220-3 Full Pack 공급자 장치 패키지 TO-220NIS |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 * 트랜지스터 유형 - 전류-수집기 (Ic) (최대) - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic - 전류-수집기 차단 (최대) - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce - 전력-최대 - 주파수-전환 - 작동 온도 - 장착 유형 - 패키지 / 케이스 - 공급자 장치 패키지 - |
제조업체 Rohm Semiconductor 시리즈 - 트랜지스터 유형 NPN 전류-수집기 (Ic) (최대) 5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 500mV @ 200mA, 4A 전류-수집기 차단 (최대) 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 82 @ 1A, 2V 전력-최대 1W 주파수-전환 120MHz 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 공급자 장치 패키지 CPT3 |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 트랜지스터 유형 NPN 전류-수집기 (Ic) (최대) 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 1.2V @ 375mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대) 50µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 10 @ 3A, 4V 전력-최대 1.56W 주파수-전환 3MHz 작동 온도 -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 공급자 장치 패키지 DPAK |
제조업체 Rohm Semiconductor 시리즈 - 트랜지스터 유형 NPN 전류-수집기 (Ic) (최대) 2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 12V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 350mV @ 50mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대) 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 270 @ 100mA, 2V 전력-최대 800mW 주파수-전환 300MHz 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 3-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지 TUMT3 |
