JAN2N6298
참조 용
| 부품 번호 | JAN2N6298 |
| PNEDA 부품 번호 | JAN2N6298 |
| 설명 | TRANS PNP DARL 60V 8A TO-66 |
| 제조업체 | Microsemi |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 2,664 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 5월 6 - 5월 11 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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JAN2N6298 리소스
| 브랜드 | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | JAN2N6298 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-양극 (BJT)-단일 |
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JAN2N6298 사양
| 제조업체 | Microsemi Corporation |
| 시리즈 | Military, MIL-PRF-19500/540 |
| 트랜지스터 유형 | PNP - Darlington |
| 전류-수집기 (Ic) (최대) | 8A |
| 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) | 60V |
| Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic | 2V @ 80mA, 8A |
| 전류-수집기 차단 (최대) | 500µA |
| DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce | 750 @ 4A, 3V |
| 전력-최대 | 64W |
| 주파수-전환 | - |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C (TJ) |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 패키지 / 케이스 | TO-213AA, TO-66-2 |
| 공급자 장치 패키지 | TO-66 (TO-213AA) |
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제조업체 Rohm Semiconductor 시리즈 - 트랜지스터 유형 NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대) 300mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 30V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 1.5V @ 100µA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대) 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 10000 @ 100mA, 5V 전력-최대 200mW 주파수-전환 125MHz 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지 SST3 |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 트랜지스터 유형 PNP 전류-수집기 (Ic) (최대) 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 65V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 650mV @ 5mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대) 15nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 420 @ 2mA, 5V 전력-최대 310mW 주파수-전환 150MHz 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지 SOT-23-3 |
