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J112

J112

참조 용

부품 번호 J112
PNEDA 부품 번호 J112_105
설명 JFET N-CHAN 35V TO92
제조업체 Central Semiconductor Corp
단가
1 ---------- $0.1344
500 ---------- $0.1281
1,000 ---------- $0.1218
2,500 ---------- $0.1155
5,000 ---------- $0.1103
10,000 ---------- $0.1050
재고 있음 51,587
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J112 리소스

브랜드 Central Semiconductor Corp
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호J112
분류반도체트랜지스터트랜지스터-JFET
데이터 시트
J112, J112 데이터 시트 (총 페이지: 3, 크기: 318.11 KB)
PDFJ112 데이터 시트 표지
J112 데이터 시트 페이지 2 J112 데이터 시트 페이지 3

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J112 사양

제조업체Central Semiconductor Corp
시리즈-
FET 유형N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS)35V
드레인-소스 전압 (Vdss)-
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)5mA @ 15V
전류 드레인 (Id)-최대-
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id5V @ 1µA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds5pF @ 10V (VGS)
저항-RDS (켜짐)50 Ohms
전력-최대350mW
작동 온도-65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지TO-92

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1mA @ 15V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

750mV @ 1µA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

7pF @ 15V

저항-RDS (켜짐)

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전력-최대

350mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

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Central Semiconductor Corp

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Central Semiconductor Corp

시리즈

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FET 유형

N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

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드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

4mA @ 15V

전류 드레인 (Id)-최대

30mA

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

500mV @ 10nA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

5pF @ 15V

저항-RDS (켜짐)

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350mW

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전압-항복 (V (BR) GSS)

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드레인-소스 전압 (Vdss)

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전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

25mA @ 20V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

10pF @ 12V (VGS)

저항-RDS (켜짐)

60 Ohms

전력-최대

310mW

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

공급자 장치 패키지

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

-

전압-항복 (V (BR) GSS)

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

-

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

저항-RDS (켜짐)

-

전력-최대

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

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NXP USA Inc.

시리즈

-

FET 유형

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드레인-소스 전압 (Vdss)

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14pF @ 20V

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