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IXZH10N50L2B

IXZH10N50L2B

참조 용

부품 번호 IXZH10N50L2B
PNEDA 부품 번호 IXZH10N50L2B
설명 RF MOSFET N-CHANNEL TO-247
제조업체 IXYS-RF
단가 견적 요청
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 24 - 6월 29 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IXZH10N50L2B 리소스

브랜드 IXYS-RF
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IXZH10N50L2B
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
IXZH10N50L2B, IXZH10N50L2B 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 896.38 KB)
PDFIXZH10N50L2A 데이터 시트 표지
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IXZH10N50L2B 사양

제조업체IXYS-RF
시리즈Z-MOS™
트랜지스터 유형N-Channel
주파수70MHz
이득17dB
전압-테스트100V
전류 정격 (Amps)10A
소음 수치-
현재-테스트-
전원-출력200W
전압-정격500V
패키지 / 케이스TO-247-3
공급자 장치 패키지TO-247 (IXFH)

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이득

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전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

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소음 수치

1dB

현재-테스트

25mA

전원-출력

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전압-정격

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시리즈

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트랜지스터 유형

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주파수

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이득

18dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

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소음 수치

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전원-출력

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전압-정격

65V

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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Ampleon

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

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트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.5GHz ~ 2.7GHz

이득

17dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

900mA

전원-출력

25W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-502B

공급자 장치 패키지

SOT502B

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시리즈

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트랜지스터 유형

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주파수

2.3GHz

이득

14.6dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

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소음 수치

-

현재-테스트

280mA

전원-출력

16W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI-780S-4

공급자 장치 패키지

NI-780S-4

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual), Common Source

주파수

1.81GHz ~ 1.88GHz

이득

15.5dB

전압-테스트

32V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

800mA

전원-출력

85W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-1258-3

공급자 장치 패키지

SOT-1258-3

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