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IXYT30N65C3H1HV

IXYT30N65C3H1HV

참조 용

부품 번호 IXYT30N65C3H1HV
PNEDA 부품 번호 IXYT30N65C3H1HV
설명 IGBT 650V 60A 270W TO268HV
제조업체 IXYS
단가 견적 요청
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IXYT30N65C3H1HV 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IXYT30N65C3H1HV
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
IXYT30N65C3H1HV, IXYT30N65C3H1HV 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 260.59 KB)
PDFIXYT30N65C3H1HV 데이터 시트 표지
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IXYT30N65C3H1HV 사양

제조업체IXYS
시리즈GenX3™, XPT™
IGBT 유형PT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)650V
전류-수집기 (Ic) (최대)60A
전류-수집기 펄스 (Icm)118A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.7V @ 15V, 30A
전력-최대270W
에너지 전환1mJ (on), 270µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지44nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C21ns/75ns
테스트 조건400V, 30A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)120ns
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
공급자 장치 패키지TO-268

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

28A

전류-수집기 펄스 (Icm)

56A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 16A

전력-최대

100W

에너지 전환

600µJ (on), 580µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

67nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

60ns/160ns

테스트 조건

480V, 16A, 23Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

42ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220AB

IRG4PH20KDPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

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IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

11A

전류-수집기 펄스 (Icm)

22A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

4.3V @ 15V, 5A

전력-최대

60W

에너지 전환

620µJ (on), 300µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

28nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

50ns/100ns

테스트 조건

800V, 5A, 50Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

51ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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SGR2N60UFDTF

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

2.4A

전류-수집기 펄스 (Icm)

10A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 1.2A

전력-최대

25W

에너지 전환

30µJ (on), 13µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

9nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

15ns/80ns

테스트 조건

300V, 1.2A, 200Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

공급자 장치 패키지

D-Pak

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제조업체

STMicroelectronics

시리즈

HB

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

80A

전류-수집기 펄스 (Icm)

160A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 40A

전력-최대

283W

에너지 전환

498µJ (on), 363µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

210nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

40ns/142ns

테스트 조건

400V, 40A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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전류-수집기 (Ic) (최대)

15A

전류-수집기 펄스 (Icm)

50A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 4V, 15A

전력-최대

115W

에너지 전환

-

입력 유형

Logic

게이트 차지

-

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

공급자 장치 패키지

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