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IXYP50N65C3

IXYP50N65C3

참조 용

부품 번호 IXYP50N65C3
PNEDA 부품 번호 IXYP50N65C3
설명 IGBT 650V 130A 600W TO220
제조업체 IXYS
단가 견적 요청
재고 있음 3,402
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 7월 11 - 7월 16 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IXYP50N65C3 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IXYP50N65C3
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
IXYP50N65C3, IXYP50N65C3 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 263.7 KB)
PDFIXYA50N65C3 데이터 시트 표지
IXYA50N65C3 데이터 시트 페이지 2 IXYA50N65C3 데이터 시트 페이지 3 IXYA50N65C3 데이터 시트 페이지 4 IXYA50N65C3 데이터 시트 페이지 5 IXYA50N65C3 데이터 시트 페이지 6

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IXYP50N65C3 사양

제조업체IXYS
시리즈GenX3™, XPT™
IGBT 유형PT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)650V
전류-수집기 (Ic) (최대)130A
전류-수집기 펄스 (Icm)250A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 36A
전력-최대600W
에너지 전환1.3mJ (on), 370µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지80nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C22ns/80ns
테스트 조건400V, 36A, 5Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)-
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-220-3
공급자 장치 패키지TO-220AB

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ON Semiconductor

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

100A

전류-수집기 펄스 (Icm)

150A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 50A

전력-최대

319W

에너지 전환

1.28mJ (on), 384µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

87nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

22.4ns/73.6ns

테스트 조건

400V, 50A, 6Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

34.6ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-3P-3, SC-65-3

공급자 장치 패키지

TO-3PN

IKA15N65ET6XKSA2

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

TrenchStop™

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

17A

전류-수집기 펄스 (Icm)

57.5A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 11.5A

전력-최대

45W

에너지 전환

230µJ (on), 110µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

37nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

30ns/117ns

테스트 조건

400V, 11.5A, 47Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

69ns

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack

공급자 장치 패키지

PG-TO220-3 Full Pack

제조업체

IXYS

시리즈

XPT™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

4500V

전류-수집기 (Ic) (최대)

95A

전류-수집기 펄스 (Icm)

350A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.9V @ 15V, 40A

전력-최대

660W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

170nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

36ns/110ns

테스트 조건

960V, 40A, 2Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3 Variant

공급자 장치 패키지

TO-247PLUS-HV

SGS5N60RUFDTU

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

8A

전류-수집기 펄스 (Icm)

15A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 5A

전력-최대

35W

에너지 전환

88µJ (on), 107µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

16nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

13ns/34ns

테스트 조건

300V, 5A, 40Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

55ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack

공급자 장치 패키지

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전류-수집기 펄스 (Icm)

68A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.6V @ 15V, 18A

전력-최대

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에너지 전환

260µJ (on), 3.45mJ (off)

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Standard

게이트 차지

50nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

22ns/540ns

테스트 조건

480V, 18A, 23Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

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