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IXYP20N65C3D1

IXYP20N65C3D1

참조 용

부품 번호 IXYP20N65C3D1
PNEDA 부품 번호 IXYP20N65C3D1
설명 IGBT 650V 18A 50W TO220
제조업체 IXYS
단가 견적 요청
재고 있음 5,796
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IXYP20N65C3D1 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IXYP20N65C3D1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
IXYP20N65C3D1, IXYP20N65C3D1 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 242.63 KB)
PDFIXYA20N65C3D1 데이터 시트 표지
IXYA20N65C3D1 데이터 시트 페이지 2 IXYA20N65C3D1 데이터 시트 페이지 3 IXYA20N65C3D1 데이터 시트 페이지 4 IXYA20N65C3D1 데이터 시트 페이지 5 IXYA20N65C3D1 데이터 시트 페이지 6 IXYA20N65C3D1 데이터 시트 페이지 7

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  • IXYP20N65C3D1 Distributor

IXYP20N65C3D1 사양

제조업체IXYS
시리즈GenX3™, XPT™
IGBT 유형PT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)650V
전류-수집기 (Ic) (최대)50A
전류-수집기 펄스 (Icm)105A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.5V @ 15V, 20A
전력-최대200W
에너지 전환430µJ (on), 350µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지30nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C19ns/80ns
테스트 조건400V, 20A, 20Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)135ns
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-220-3
공급자 장치 패키지TO-220AB

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Infineon Technologies

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

41A

전류-수집기 펄스 (Icm)

112A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 30A

전력-최대

250W

에너지 전환

1.29mJ

입력 유형

Standard

게이트 차지

140nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

44ns/291ns

테스트 조건

400V, 30A, 11Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

PG-TO247-3

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STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

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IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1300V

전류-수집기 (Ic) (최대)

55A

전류-수집기 펄스 (Icm)

125A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 20A

전력-최대

180W

에너지 전환

3.4mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

127nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-/284ns

테스트 조건

960V, 20A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247

STGWA15M120DF3

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

30A

전류-수집기 펄스 (Icm)

60A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 15A

전력-최대

259W

에너지 전환

550µJ (on), 850µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

53nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

26ns/122ns

테스트 조건

600V, 15A, 22Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

270ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247 Long Leads

SGP20N60HSXKSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

36A

전류-수집기 펄스 (Icm)

80A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.15V @ 15V, 20A

전력-최대

178W

에너지 전환

690µJ

입력 유형

Standard

게이트 차지

100nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

18ns/207ns

테스트 조건

400V, 20A, 16Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

PG-TO220-3-1

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

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Trench

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1250V

전류-수집기 (Ic) (최대)

40A

전류-수집기 펄스 (Icm)

60A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 20A

전력-최대

250W

에너지 전환

740µJ (on), 500µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

153nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

10ns/400ns

테스트 조건

600V, 20A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-3P-3, SC-65-3

공급자 장치 패키지

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