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IXXH80N65B4H1

IXXH80N65B4H1

참조 용

부품 번호 IXXH80N65B4H1
PNEDA 부품 번호 IXXH80N65B4H1
설명 IGBT 650V 160A 625W TO247AD
제조업체 IXYS
단가
1 ---------- $129.4193
50 ---------- $123.3527
100 ---------- $117.2862
200 ---------- $111.2197
400 ---------- $106.1642
500 ---------- $101.1088
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IXXH80N65B4H1 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IXXH80N65B4H1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
IXXH80N65B4H1, IXXH80N65B4H1 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 213.61 KB)
PDFIXXH80N65B4H1 데이터 시트 표지
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IXXH80N65B4H1 사양

제조업체IXYS
시리즈GenX4™, XPT™
IGBT 유형PT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)650V
전류-수집기 (Ic) (최대)160A
전류-수집기 펄스 (Icm)430A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2V @ 15V, 80A
전력-최대625W
에너지 전환3.77mJ (on), 1.2mJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지120nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C38ns/120ns
테스트 조건400V, 80A, 3Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)150ns
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-247-3
공급자 장치 패키지TO-247 (IXXH)

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제조업체

IXYS

시리즈

HiPerFAST™

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

900V

전류-수집기 (Ic) (최대)

75A

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 50A

전력-최대

400W

에너지 전환

4.7mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

135nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

20ns/350ns

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

200ns

작동 온도

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

공급자 장치 패키지

TO-268

IXBP5N160G

IXYS

제조업체

IXYS

시리즈

BIMOSFET™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

5.7A

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

7.2V @ 15V, 3A

전력-최대

68W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

26nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

960V, 3A, 47Ohm, 10V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220AB

제조업체

IXYS

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1000V

전류-수집기 (Ic) (최대)

20A

전류-수집기 펄스 (Icm)

40A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

4V @ 15V, 10A

전력-최대

100W

에너지 전환

2mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

52nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

100ns/550ns

테스트 조건

800V, 10A, 150Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

60ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AD (IXGH)

STGP35N35LZ

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

PowerMESH™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

345V

전류-수집기 (Ic) (최대)

40A

전류-수집기 펄스 (Icm)

80A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.7V @ 4.5V, 15A

전력-최대

176W

에너지 전환

-

입력 유형

Logic

게이트 차지

49nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

1.1µs/26.5µs

테스트 조건

300V, 15A, 5V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220-3

제조업체

IXYS

시리즈

HiPerFAST™

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

75A

전류-수집기 펄스 (Icm)

150A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 40A

전력-최대

200W

에너지 전환

850µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

116nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

25ns/100ns

테스트 조건

480V, 40A, 4.7Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

3.5ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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