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IXTT52N30P

IXTT52N30P

참조 용

부품 번호 IXTT52N30P
PNEDA 부품 번호 IXTT52N30P
설명 MOSFET N-CH 300V 52A TO-268
제조업체 IXYS
단가 견적 요청
재고 있음 3,276
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예상 배송 7월 12 - 7월 17 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IXTT52N30P 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IXTT52N30P
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
IXTT52N30P, IXTT52N30P 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 133.07 KB)
PDFIXTT52N30P 데이터 시트 표지
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IXTT52N30P 사양

제조업체IXYS
시리즈PolarHT™
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)300V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)52A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs66mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs110nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds3490pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)400W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지TO-268
패키지 / 케이스TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

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제조업체

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시리즈

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

120A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2.3mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.8V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

199nC @ 10V

Vgs (최대)

±16V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

11334pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

263W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

D2PAK

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

42A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

15V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

104mOhm @ 21A, 15V

Vgs (th) (최대) @ Id

7V @ 5.5mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

100nC @ 15V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3500pF @ 100V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

495W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-247G

패키지 / 케이스

TO-247-3

CPH6443-P-TL-H

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

-

기술

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

6-CPH

패키지 / 케이스

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

제조업체

IXYS

시리즈

GigaMOS™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

170V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

320A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

5.2mOhm @ 60A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 8mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

640nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

45000pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1670W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-264AA (IXFK)

패키지 / 케이스

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ZXMP2120FFTA

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

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기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

200V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

137mA (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

28Ohm @ 150mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

100pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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