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IXTN5N250

IXTN5N250

참조 용

부품 번호 IXTN5N250
PNEDA 부품 번호 IXTN5N250
설명 MOSFET N-CH 2500V 5A SOT227B
제조업체 IXYS
단가 견적 요청
재고 있음 5,832
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IXTN5N250 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IXTN5N250
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
IXTN5N250, IXTN5N250 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 125.49 KB)
PDFIXTN5N250 데이터 시트 표지
IXTN5N250 데이터 시트 페이지 2 IXTN5N250 데이터 시트 페이지 3 IXTN5N250 데이터 시트 페이지 4 IXTN5N250 데이터 시트 페이지 5

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IXTN5N250 사양

제조업체IXYS
시리즈-
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)2500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)5A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs8.8Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs200nC @ 10V
Vgs (최대)±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds8560pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)700W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Chassis Mount
공급자 장치 패키지SOT-227B
패키지 / 케이스SOT-227-4, miniBLOC

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STMicroelectronics

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

620V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.2A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

3.6Ohm @ 1.1A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 50µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

15nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

340pF @ 50V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

45W (Tc)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-220

패키지 / 케이스

TO-220-3

MCQ4435-TP

Micro Commercial Co

제조업체

Micro Commercial Co

시리즈

-

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

9.1A (Tj)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

24mOhm @ 9.1A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

50nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1350pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.4W (Tj)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

8-SOP

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

IRFH5025TR2PBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

250V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.8A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

100mOhm @ 5.7A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 150µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

56nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2150pF @ 50V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3.6W (Ta), 8.3W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

8-PQFN (5x6)

패키지 / 케이스

8-PowerVDFN

NTMFS4927NT3G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7.9A (Ta), 38A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

7.3mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

16nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

913pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

920mW (Ta), 20.8W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

5-DFN (5x6) (8-SOFL)

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

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OptiMOS™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

25V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

50A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

8.9mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 20µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

13nC @ 5V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1642pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

63W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

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패키지 / 케이스

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