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IXTA152N085T7

IXTA152N085T7

참조 용

부품 번호 IXTA152N085T7
PNEDA 부품 번호 IXTA152N085T7
설명 MOSFET N-CH 85V 152A TO-263-7
제조업체 IXYS
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IXTA152N085T7 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IXTA152N085T7
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
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IXTA152N085T7 사양

제조업체IXYS
시리즈TrenchMV™
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)85V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)152A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs7mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs114nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds5500pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)360W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지TO-263-7 (IXTA..7)
패키지 / 케이스TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB

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드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

10.8A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

299mOhm @ 5.4A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

35.6nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1505pF @ 100V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

32.1W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

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패키지 / 케이스

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Vishay Siliconix

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

650V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

21A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

180mOhm @ 11A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

106nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2322pF @ 100V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

208W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-220AB

패키지 / 케이스

TO-220-3

SCT3105KLHRC11

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

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FET 유형

N-Channel

기술

SiCFET (Silicon Carbide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

1200V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

24A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

18V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

137mOhm @ 7.6A, 18V

Vgs (th) (최대) @ Id

5.6V @ 3.81mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

51nC @ 18V

Vgs (최대)

+22V, -4V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

574pF @ 800V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

134W

작동 온도

175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-247N

패키지 / 케이스

TO-247-3

STD3N65M6

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

*

FET 유형

-

기술

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

-

장착 유형

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-

전력 손실 (최대)

58W (Tc)

작동 온도

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장착 유형

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