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IXST15N120BD1

IXST15N120BD1

참조 용

부품 번호 IXST15N120BD1
PNEDA 부품 번호 IXST15N120BD1
설명 IGBT 1200V 30A 150W TO268
제조업체 IXYS
단가 견적 요청
재고 있음 6,048
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IXST15N120BD1 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IXST15N120BD1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
IXST15N120BD1, IXST15N120BD1 데이터 시트 (총 페이지: 2, 크기: 56.54 KB)
PDFIXST15N120BD1 데이터 시트 표지
IXST15N120BD1 데이터 시트 페이지 2

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IXST15N120BD1 사양

제조업체IXYS
시리즈-
IGBT 유형PT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1200V
전류-수집기 (Ic) (최대)30A
전류-수집기 펄스 (Icm)60A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic3.4V @ 15V, 15A
전력-최대150W
에너지 전환1.5mJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지57nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C30ns/148ns
테스트 조건960V, 15A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)30ns
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
공급자 장치 패키지TO-268

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

40A

전류-수집기 펄스 (Icm)

160A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 20A

전력-최대

100W

에너지 전환

160µJ (on), 200µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

97nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

15ns/65ns

테스트 조건

300V, 20A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-3P-3 Full Pack

공급자 장치 패키지

TO-3PF

STGP10H60DF

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

20A

전류-수집기 펄스 (Icm)

40A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.95V @ 15V, 10A

전력-최대

115W

에너지 전환

83µJ (on), 140µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

57nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

19.5ns/103ns

테스트 조건

400V, 10A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

107ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220

AUIRGS30B60K

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

78A

전류-수집기 펄스 (Icm)

120A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.35V @ 15V, 30A

전력-최대

370W

에너지 전환

350µJ (on), 825µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

102nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

46ns/185ns

테스트 조건

400V, 30A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

D2PAK

APT80GA90B

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

900V

전류-수집기 (Ic) (최대)

145A

전류-수집기 펄스 (Icm)

239A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.1V @ 15V, 47A

전력-최대

625W

에너지 전환

1652µJ (on), 1389µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

200nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

18ns/149ns

테스트 조건

600V, 47A, 4.7Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247 [B]

제조업체

IXYS

시리즈

GenX4™, XPT™

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

240A

전류-수집기 펄스 (Icm)

630A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 110A

전력-최대

880W

에너지 전환

2.2mJ (on), 1.05mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

183nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

38ns/156ns

테스트 조건

400V, 55A, 2Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

100ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

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