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IXSH10N60B2D1

IXSH10N60B2D1

참조 용

부품 번호 IXSH10N60B2D1
PNEDA 부품 번호 IXSH10N60B2D1
설명 IGBT 600V 20A 100W TO247
제조업체 IXYS
단가 견적 요청
재고 있음 3,852
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 20 - 6월 25 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IXSH10N60B2D1 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IXSH10N60B2D1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
IXSH10N60B2D1, IXSH10N60B2D1 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 511.02 KB)
PDFIXSH10N60B2D1 데이터 시트 표지
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IXSH10N60B2D1 사양

제조업체IXYS
시리즈-
IGBT 유형PT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)20A
전류-수집기 펄스 (Icm)30A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.5V @ 15V, 10A
전력-최대100W
에너지 전환430µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지17nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C30ns/180ns
테스트 조건480V, 10A, 30Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)25ns
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-247-3
공급자 장치 패키지TO-247AD (IXSH)

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

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IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

11.5A

전류-수집기 펄스 (Icm)

23A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 9A

전력-최대

34W

에너지 전환

340µJ (on), 300µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

34nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

54ns/180ns

테스트 조건

480V, 9A, 50Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

37ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack

공급자 장치 패키지

TO-220AB Full-Pak

APT35GN120BG

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

NPT, Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

94A

전류-수집기 펄스 (Icm)

105A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 35A

전력-최대

379W

에너지 전환

2.315mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

220nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

24ns/300ns

테스트 조건

800V, 35A, 2.2Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247 [B]

IRGI4090PBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

Trench

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

300V

전류-수집기 (Ic) (최대)

21A

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.94V @ 15V, 30A

전력-최대

34W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

34nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

20ns/99ns

테스트 조건

240V, 11A, 10Ohm

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack

공급자 장치 패키지

TO-220AB Full-Pak

APT50GR120B2

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

117A

전류-수집기 펄스 (Icm)

200A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 50A

전력-최대

694W

에너지 전환

2.14mJ (on), 1.48mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

445nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

28ns/237ns

테스트 조건

600V, 50A, 4.3Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247

IRG4BC20K

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

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IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

16A

전류-수집기 펄스 (Icm)

32A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 9A

전력-최대

60W

에너지 전환

150µJ (on), 250µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

34nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

28ns/150ns

테스트 조건

480V, 9A, 50Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220AB

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