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IXKC23N60C5

IXKC23N60C5

참조 용

부품 번호 IXKC23N60C5
PNEDA 부품 번호 IXKC23N60C5
설명 MOSFET N-CH 600V 23A ISOPLUS220
제조업체 IXYS
단가 견적 요청
재고 있음 4,212
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IXKC23N60C5 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IXKC23N60C5
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
IXKC23N60C5, IXKC23N60C5 데이터 시트 (총 페이지: 4, 크기: 262.63 KB)
PDFIXKC23N60C5 데이터 시트 표지
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IXKC23N60C5 사양

제조업체IXYS
시리즈CoolMOS™
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)23A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs100mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id3.9V @ 1.2mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs80nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds2800pF @ 100V
FET 기능Super Junction
전력 손실 (최대)-
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
공급자 장치 패키지ISOPLUS220™
패키지 / 케이스ISOPLUS220™

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

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드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

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Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

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FET 기능

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드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

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장착 유형

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공급자 장치 패키지

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제조업체

Panasonic Electronic Components

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

800V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

7Ohm @ 1A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

350pF @ 20V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2W (Ta), 30W (Tc)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-220D-A1

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack

FCPF13N60NT

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

SuperMOS™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

13A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

258mOhm @ 6.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

39.5nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1765pF @ 100V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

33.8W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

13.6mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 20µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

8.3nC @ 5V

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