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IXGR60N60B2

IXGR60N60B2

참조 용

부품 번호 IXGR60N60B2
PNEDA 부품 번호 IXGR60N60B2
설명 IGBT 600V 75A 250W ISOPLUS247
제조업체 IXYS
단가 견적 요청
재고 있음 8,388
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 7월 23 - 7월 28 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IXGR60N60B2 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IXGR60N60B2
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
IXGR60N60B2, IXGR60N60B2 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 507.98 KB)
PDFIXGR60N60B2D1 데이터 시트 표지
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IXGR60N60B2 사양

제조업체IXYS
시리즈HiPerFAST™
IGBT 유형PT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)75A
전류-수집기 펄스 (Icm)300A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2V @ 15V, 50A
전력-최대250W
에너지 전환1mJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지170nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C28ns/160ns
테스트 조건400V, 50A, 3.3Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)-
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-247-3
공급자 장치 패키지ISOPLUS247™

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제조업체

IXYS

시리즈

HiPerFAST™

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

70A

전류-수집기 펄스 (Icm)

140A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.3V @ 15V, 35A

전력-최대

300W

에너지 전환

3.8mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

170nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

50ns/180ns

테스트 조건

960V, 35A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

공급자 장치 패키지

TO-268

IXBX64N250

IXYS

제조업체

IXYS

시리즈

BIMOSFET™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

2500V

전류-수집기 (Ic) (최대)

156A

전류-수집기 펄스 (Icm)

600A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 64A

전력-최대

735W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

400nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

49ns/232ns

테스트 조건

1250V, 128A, 1Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

160ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

PLUS247™-3

APT75GN60BG

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

155A

전류-수집기 펄스 (Icm)

225A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.85V @ 15V, 75A

전력-최대

536W

에너지 전환

2500µJ (on), 2140µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

485nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

47ns/385ns

테스트 조건

400V, 75A, 1Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247 [B]

SGB02N60ATMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

6A

전류-수집기 펄스 (Icm)

12A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 2A

전력-최대

30W

에너지 전환

64µJ

입력 유형

Standard

게이트 차지

14nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

20ns/259ns

테스트 조건

400V, 2A, 118Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

PG-TO263-3

ISL9V5036P3-F085

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

Automotive, AEC-Q101, EcoSPARK®

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

390V

전류-수집기 (Ic) (최대)

46A

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.6V @ 4V, 10A

전력-최대

250W

에너지 전환

-

입력 유형

Logic

게이트 차지

32nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-/10.8µs

테스트 조건

300V, 1kOhm, 5V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220-3

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