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IXGH20N120B

IXGH20N120B

참조 용

부품 번호 IXGH20N120B
PNEDA 부품 번호 IXGH20N120B
설명 IGBT 1200V 40A 190W TO247
제조업체 IXYS
단가 견적 요청
재고 있음 3,888
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 3 - 11월 8 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IXGH20N120B 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IXGH20N120B
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
IXGH20N120B, IXGH20N120B 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 568.45 KB)
PDFIXGH20N120BD1 데이터 시트 표지
IXGH20N120BD1 데이터 시트 페이지 2 IXGH20N120BD1 데이터 시트 페이지 3 IXGH20N120BD1 데이터 시트 페이지 4 IXGH20N120BD1 데이터 시트 페이지 5

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IXGH20N120B 사양

제조업체IXYS
시리즈-
IGBT 유형PT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1200V
전류-수집기 (Ic) (최대)40A
전류-수집기 펄스 (Icm)80A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic3.4V @ 15V, 20A
전력-최대190W
에너지 전환2.1mJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지72nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C25ns/150ns
테스트 조건960V, 20A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)-
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-247-3
공급자 장치 패키지TO-247AD (IXGH)

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

40A

전류-수집기 펄스 (Icm)

60A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.7V @ 15V, 20A

전력-최대

75W

에너지 전환

452µJ (on), 141µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

64nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

12ns/91ns

테스트 조건

400V, 20A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

26.7ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-3P-3 Full Pack

공급자 장치 패키지

TO-3PF

IXBT24N170

IXYS

제조업체

IXYS

시리즈

BIMOSFET™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1700V

전류-수집기 (Ic) (최대)

60A

전류-수집기 펄스 (Icm)

230A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 24A

전력-최대

250W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

140nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

1.06µs

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

공급자 장치 패키지

TO-268

IRG4BC20UDSTRLP

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

13A

전류-수집기 펄스 (Icm)

52A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 6.5A

전력-최대

60W

에너지 전환

160µJ (on), 130µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

27nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

39ns/93ns

테스트 조건

480V, 6.5A, 50Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

37ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

D2PAK

STGWT60V60DF

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

80A

전류-수집기 펄스 (Icm)

240A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 60A

전력-최대

375W

에너지 전환

750µJ (on), 550µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

334nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

60ns/208ns

테스트 조건

400V, 60A, 4.7Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

74ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-3P-3, SC-65-3

공급자 장치 패키지

-

NGTB50N60FLWG

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

100A

전류-수집기 펄스 (Icm)

200A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 50A

전력-최대

223W

에너지 전환

1.1mJ (on), 600µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

310nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

116ns/292ns

테스트 조건

400V, 50A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

85ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247

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