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IXGA12N60CD1

IXGA12N60CD1

참조 용

부품 번호 IXGA12N60CD1
PNEDA 부품 번호 IXGA12N60CD1
설명 IGBT 600V 24A 100W TO263AA
제조업체 IXYS
단가 견적 요청
재고 있음 7,290
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 13 - 6월 18 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IXGA12N60CD1 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IXGA12N60CD1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
IXGA12N60CD1, IXGA12N60CD1 데이터 시트 (총 페이지: 2, 크기: 70.87 KB)
PDFIXGP12N60CD1 데이터 시트 표지
IXGP12N60CD1 데이터 시트 페이지 2

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IXGA12N60CD1 사양

제조업체IXYS
시리즈HiPerFAST™, Lightspeed™
IGBT 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)24A
전류-수집기 펄스 (Icm)48A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.7V @ 15V, 12A
전력-최대100W
에너지 전환90µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지32nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C20ns/60ns
테스트 조건480V, 12A, 18Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)35ns
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급자 장치 패키지TO-263 (IXGA)

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제조업체

IXYS

시리즈

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IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

40A

전류-수집기 펄스 (Icm)

80A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 20A

전력-최대

150W

에너지 전환

1.5mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

100nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

100ns/600ns

테스트 조건

480V, 20A, 82Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AD (IXGH)

IRGS14C40LTRLP

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

430V

전류-수집기 (Ic) (최대)

20A

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.75V @ 5V, 14A

전력-최대

125W

에너지 전환

-

입력 유형

Logic

게이트 차지

27nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

900ns/6µs

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

TO-263AB

NGTD23T120F2SWK

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전류-수집기 펄스 (Icm)

120A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 25A

전력-최대

-

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

-

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

Die

공급자 장치 패키지

Die

STGB20NC60V

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

PowerMESH™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

60A

전류-수집기 펄스 (Icm)

100A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 20A

전력-최대

200W

에너지 전환

220µJ (on), 330µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

100nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

31ns/100ns

테스트 조건

390V, 20A, 3.3Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

D2PAK

FGH75T65SQDT_F155

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

150A

전류-수집기 펄스 (Icm)

300A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 75A

전력-최대

375W

에너지 전환

300µJ (on), 70µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

128nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

23ns/120ns

테스트 조건

400V, 18.8A, 4.7Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

76ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247-3

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