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IXFV14N80PS

IXFV14N80PS

참조 용

부품 번호 IXFV14N80PS
PNEDA 부품 번호 IXFV14N80PS
설명 MOSFET N-CH 800V 14A PLUS220-S
제조업체 IXYS
단가 견적 요청
재고 있음 8,424
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IXFV14N80PS 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IXFV14N80PS
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
IXFV14N80PS, IXFV14N80PS 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 226.56 KB)
PDFIXFV14N80PS 데이터 시트 표지
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IXFV14N80PS 사양

제조업체IXYS
시리즈HiPerFET™, PolarHT™
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)800V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)14A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs720mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id5.5V @ 4mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs61nC @ 10V
Vgs (최대)±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds3900pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)400W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지PLUS-220SMD
패키지 / 케이스PLUS-220SMD

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Infineon Technologies

시리즈

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

55V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

80A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4.8mOhm @ 80A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

230nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

7530pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

300W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

PG-TO220-3-1

패키지 / 케이스

TO-220-3

SQ4182EY-T1_GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

32A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

3.8mOhm @ 14A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

110nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

5400pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

7.1W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

8-SOIC

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

NIF9N05CLT3

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

52V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.6A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

3V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

125mOhm @ 2.6A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 100µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

7nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±15V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

250pF @ 35V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.69W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

SOT-223

패키지 / 케이스

TO-261-4, TO-261AA

IRFR7446PBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®, StrongIRFET™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

56A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

6V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

3.9mOhm @ 56A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.9V @ 100µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

130nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3150pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

98W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

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시리즈

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FET 유형

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기술

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드레인-소스 전압 (Vdss)

1.2kV

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

26A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

15V, 18V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

117mOhm @ 8.5A, 18V

Vgs (th) (최대) @ Id

5.7V @ 3.7mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

21nC @ 18V

Vgs (최대)

+23V, -7V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

707pF @ 800V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

115W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

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