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IXFT170N25X3HV

IXFT170N25X3HV

참조 용

부품 번호 IXFT170N25X3HV
PNEDA 부품 번호 IXFT170N25X3HV
설명 MOSFET N-CH 250V 170A TO268HV
제조업체 IXYS
단가 견적 요청
재고 있음 5,004
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IXFT170N25X3HV 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IXFT170N25X3HV
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일

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IXFT170N25X3HV 사양

제조업체IXYS
시리즈HiPerFET™
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)250V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)170A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs7.4mOhm @ 85A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4.5V @ 4mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs190nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds13500pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)960W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지TO-268HV
패키지 / 케이스TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1.8A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

60mOhm @ 2.6A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

2.75nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

230pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

300mW (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

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패키지 / 케이스

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FET 유형

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MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

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드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

120mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

3.6nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

170pF @ 20V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

5W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

TO-236AB

패키지 / 케이스

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AOD444

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제조업체

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FET 유형

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MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4A (Ta), 12A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

60mOhm @ 12A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

10nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

540pF @ 30V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.1W (Ta), 20W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

45mOhm @ 4A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

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드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

1.2V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.4Ohm @ 150mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 100µA

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±10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

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FET 기능

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전력 손실 (최대)

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