IXFR9N80Q
참조 용
| 부품 번호 | IXFR9N80Q |
| PNEDA 부품 번호 | IXFR9N80Q |
| 설명 | MOSFET N-CH 800V ISOPLUS247 |
| 제조업체 | IXYS |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 5,202 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 7월 15 - 7월 20 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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IXFR9N80Q 리소스
| 브랜드 | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | IXFR9N80Q |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
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IXFR9N80Q 사양
| 제조업체 | IXYS |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | N-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 800V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | - |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | - |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | - |
| Vgs (th) (최대) @ Id | - |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | - |
| Vgs (최대) | - |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | - |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | - |
| 작동 온도 | - |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 공급자 장치 패키지 | ISOPLUS247™ |
| 패키지 / 케이스 | ISOPLUS247™ |
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제조업체 IXYS 시리즈 CoolMOS™ FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 47A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 45mOhm @ 44A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3.5V @ 3mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 190nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 6800pF @ 100V FET 기능 Super Junction 전력 손실 (최대) - 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 ISOPLUS247™ 패키지 / 케이스 ISOPLUS247™ |
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