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IXDI614YI

IXDI614YI

참조 용

부품 번호 IXDI614YI
PNEDA 부품 번호 IXDI614YI
설명 14A 5 LEAD TO-263 INVERTING
제조업체 IXYS Integrated Circuits Division
단가 견적 요청
재고 있음 8,802
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 13 - 6월 18 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IXDI614YI 리소스

브랜드 IXYS Integrated Circuits Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IXDI614YI
분류반도체전력 관리 ICPMIC-게이트 드라이버
데이터 시트
IXDI614YI, IXDI614YI 데이터 시트 (총 페이지: 14, 크기: 265.86 KB)
PDFIXDD614D2TR 데이터 시트 표지
IXDD614D2TR 데이터 시트 페이지 2 IXDD614D2TR 데이터 시트 페이지 3 IXDD614D2TR 데이터 시트 페이지 4 IXDD614D2TR 데이터 시트 페이지 5 IXDD614D2TR 데이터 시트 페이지 6 IXDD614D2TR 데이터 시트 페이지 7 IXDD614D2TR 데이터 시트 페이지 8 IXDD614D2TR 데이터 시트 페이지 9 IXDD614D2TR 데이터 시트 페이지 10 IXDD614D2TR 데이터 시트 페이지 11

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IXDI614YI 사양

제조업체IXYS Integrated Circuits Division
시리즈-
구동 구성Low-Side
채널 유형Single
드라이버 수1
게이트 유형IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
전압-공급4.5V ~ 35V
논리 전압-VIL, VIH0.8V, 3V
전류-피크 출력 (소스, 싱크)14A, 14A
입력 유형Inverting
높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)-
상승 / 하강 시간 (일반)25ns, 18ns
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-263-6, D²Pak (5 Leads + Tab), TO-263BA
공급자 장치 패키지TO-263-5

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

IGBT, N-Channel MOSFET

전압-공급

11.2V ~ 20V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.5V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

2.3A, 3.3A

입력 유형

Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

25ns, 25ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

MAX626MJA/883B

Maxim Integrated

제조업체

Maxim Integrated

시리즈

Military, MIL-STD-883

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel, P-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 18V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.4V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

2A, 2A

입력 유형

Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

25ns, 20ns

작동 온도

-55°C ~ 125°C (TA)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

8-CDIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

8-CERDIP

MAX5054AATA+T

Maxim Integrated

제조업체

Maxim Integrated

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

4V ~ 15V

논리 전압-VIL, VIH

-

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

4A, 4A

입력 유형

Inverting, Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

32ns, 26ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-WDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

8-TDFN-EP (3x3)

TC4469COE713

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Independent

드라이버 수

4

게이트 유형

N-Channel, P-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 18V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.4V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

1.2A, 1.2A

입력 유형

Inverting, Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

15ns, 15ns

작동 온도

0°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

공급자 장치 패키지

16-SOIC

ISL6208CRZ

Renesas Electronics America Inc.

제조업체

Renesas Electronics America Inc.

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Synchronous

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

논리 전압-VIL, VIH

0.5V, 2V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

2A, 2A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

33V

상승 / 하강 시간 (일반)

8ns, 8ns

작동 온도

-10°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-VQFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

8-QFN (3x3)

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