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IXDI514SIA

IXDI514SIA

참조 용

부품 번호 IXDI514SIA
PNEDA 부품 번호 IXDI514SIA
설명 IC GATE DRIVER SGL 14A 8-SOIC
제조업체 IXYS
단가 견적 요청
재고 있음 4,032
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 3 - 11월 8 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IXDI514SIA 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IXDI514SIA
분류반도체전력 관리 ICPMIC-게이트 드라이버
데이터 시트
IXDI514SIA, IXDI514SIA 데이터 시트 (총 페이지: 12, 크기: 380.3 KB)
PDFIXDN514SIAT/R 데이터 시트 표지
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IXDI514SIA 사양

제조업체IXYS
시리즈-
구동 구성Low-Side
채널 유형Single
드라이버 수1
게이트 유형IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
전압-공급4.5V ~ 30V
논리 전압-VIL, VIH1V, 2.5V
전류-피크 출력 (소스, 싱크)14A, 14A
입력 유형Inverting
높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)-
상승 / 하강 시간 (일반)25ns, 22ns
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SOIC

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게이트 유형

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 18V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.4V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

13A, 13A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

30ns, 32ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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구동 구성

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드라이버 수

1

게이트 유형

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

전압-공급

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논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 3V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

14A, 14A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

25ns, 18ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-5

공급자 장치 패키지

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

IGBT, N-Channel MOSFET

전압-공급

10V ~ 20V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 3.5V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

500mA, 500mA

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

600V

상승 / 하강 시간 (일반)

25ns, 15ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

공급자 장치 패키지

20-SOIC

LM5101CSDX

Texas Instruments

제조업체

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

9V ~ 14V

논리 전압-VIL, VIH

2.3V, -

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

1A, 1A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

118V

상승 / 하강 시간 (일반)

990ns, 715ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

10-WDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

10-WSON (4x4)

AUIRS2123STR

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

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구동 구성

High-Side

채널 유형

Single

드라이버 수

1

게이트 유형

IGBT, N-Channel MOSFET

전압-공급

10V ~ 20V

논리 전압-VIL, VIH

-

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

500mA, 500mA

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

600V

상승 / 하강 시간 (일반)

80ns, 80ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

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