ISO721QDRQ1
참조 용
| 부품 번호 | ISO721QDRQ1 |
| PNEDA 부품 번호 | ISO721QDRQ1 |
| 설명 | DGTL ISO 4KV 1CH GEN PURP 8SOIC |
| 제조업체 | Texas Instruments |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 6,264 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 6월 30 - 7월 5 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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ISO721QDRQ1 리소스
| 브랜드 | Texas Instruments |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | ISO721QDRQ1 |
| 분류 | 반도체 › 절연체 › 디지털 절연체 |
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ISO721QDRQ1 사양
| 제조업체 | |
| 시리즈 | Automotive, AEC-Q100 |
| 기술 | Capacitive Coupling |
| 유형 | General Purpose |
| 절연 된 힘 | No |
| 채널 수 | 1 |
| 입력-사이드 1 / 사이드 2 | 1/0 |
| 채널 유형 | Unidirectional |
| 전압-절연 | 4000Vpk |
| 공통 모드 과도 내성 (최소) | 15kV/µs |
| 데이터 전송률 | 100Mbps |
| 전파 지연 tpLH / tpHL (최대) | 24ns, 24ns |
| 펄스 폭 왜곡 (최대) | 2ns |
| 상승 / 하강 시간 (일반) | 1ns, 1ns |
| 전압-공급 | 3V ~ 5.5V |
| 작동 온도 | -40°C ~ 125°C |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 공급자 장치 패키지 | 8-SOIC |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Silicon Labs 시리즈 * 기술 - 유형 - 절연 된 힘 - 채널 수 - 입력-사이드 1 / 사이드 2 - 채널 유형 - 전압-절연 - 공통 모드 과도 내성 (최소) - 데이터 전송률 - 전파 지연 tpLH / tpHL (최대) - 펄스 폭 왜곡 (최대) - 상승 / 하강 시간 (일반) - 전압-공급 - 작동 온도 - 장착 유형 - 패키지 / 케이스 - 공급자 장치 패키지 - |
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제조업체 Silicon Labs 시리즈 - 기술 Capacitive Coupling 유형 General Purpose 절연 된 힘 No 채널 수 4 입력-사이드 1 / 사이드 2 3/1 채널 유형 Unidirectional 전압-절연 2500Vrms 공통 모드 과도 내성 (최소) 35kV/µs 데이터 전송률 150Mbps 전파 지연 tpLH / tpHL (최대) 13ns, 13ns 펄스 폭 왜곡 (최대) 4.5ns 상승 / 하강 시간 (일반) 2.5ns, 2.5ns 전압-공급 2.5V ~ 5.5V 작동 온도 -40°C ~ 125°C 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 16-SOIC |
제조업체 Silicon Labs 시리즈 - 기술 Capacitive Coupling 유형 General Purpose 절연 된 힘 No 채널 수 3 입력-사이드 1 / 사이드 2 3/0 채널 유형 Unidirectional 전압-절연 1000Vrms 공통 모드 과도 내성 (최소) 35kV/µs 데이터 전송률 10Mbps 전파 지연 tpLH / tpHL (최대) 65ns, 65ns 펄스 폭 왜곡 (최대) 30ns 상승 / 하강 시간 (일반) 2.5ns, 2.5ns 전압-공급 3.15V ~ 5.5V 작동 온도 -40°C ~ 125°C 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 16-SSOP (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 16-QSOP |
