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IS61NLP204836B-166TQLI-TR

IS61NLP204836B-166TQLI-TR

참조 용

부품 번호 IS61NLP204836B-166TQLI-TR
PNEDA 부품 번호 IS61NLP204836B-166TQLI-TR
설명 IC SRAM 72M PARALLEL 100TQFP
제조업체 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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IS61NLP204836B-166TQLI-TR 리소스

브랜드 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IS61NLP204836B-166TQLI-TR
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
IS61NLP204836B-166TQLI-TR, IS61NLP204836B-166TQLI-TR 데이터 시트 (총 페이지: 39, 크기: 1,289.35 KB)
PDFIS61NVP204836B-166TQLI 데이터 시트 표지
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IS61NLP204836B-166TQLI-TR 사양

제조업체ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷SRAM
기술SRAM - Synchronous, SDR
메모리 크기72Mb (2M x 36)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간3.8ns
전압-공급3.135V ~ 3.465V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스100-LQFP
공급자 장치 패키지100-TQFP (14x20)

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메모리 포맷

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기술

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메모리 크기

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메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

52MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

65ns

접근 시간

65ns

전압-공급

1.7V ~ 2V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

64-TFBGA

공급자 장치 패키지

64-EasyBGA (10x13)

S29GL512T10DHI023

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

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메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

512Mb (64M x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

60ns

접근 시간

100ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

64-LBGA

공급자 장치 패키지

64-FBGA (9x9)

TC58BVG0S3HBAI6

Toshiba Memory America, Inc.

제조업체

Toshiba Memory America, Inc.

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메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NAND (SLC)

메모리 크기

1Gb (128M x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

25ns

접근 시간

25ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

67-VFBGA

공급자 장치 패키지

67-VFBGA (6.5x8)

MT29F16G08ABCBBH1-12AIT:B TR

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NAND

메모리 크기

16Gb (2G x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

83MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

100-VBGA

공급자 장치 패키지

100-VBGA (12x18)

CY62167DV18LL-55BVXI

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

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메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Asynchronous

메모리 크기

16Mb (1M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

55ns

접근 시간

55ns

전압-공급

1.65V ~ 2.25V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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