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IS49RL36160-107EBL

IS49RL36160-107EBL

참조 용

부품 번호 IS49RL36160-107EBL
PNEDA 부품 번호 IS49RL36160-107EBL
설명 IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA
제조업체 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
단가
1 ---------- $255.5590
50 ---------- $243.5797
100 ---------- $231.6004
200 ---------- $219.6210
400 ---------- $209.6383
500 ---------- $199.6555
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IS49RL36160-107EBL 리소스

브랜드 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IS49RL36160-107EBL
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
IS49RL36160-107EBL, IS49RL36160-107EBL 데이터 시트 (총 페이지: 115, 크기: 2,954.7 KB)
PDFIS49RL36160-093EBLI 데이터 시트 표지
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  • IS49RL36160-107EBL Distributor

IS49RL36160-107EBL 사양

제조업체ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷DRAM
기술DRAM
메모리 크기576Mb (16M x 36)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수933MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간8ns
전압-공급1.28V ~ 1.42V
작동 온도0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스168-LBGA
공급자 장치 패키지168-FC(LF)BGA (13.5x13.5)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH

메모리 크기

32Mb (4M x 8)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

104MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

4ms

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 105°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

AS4C1M16S-6TIN

Alliance Memory, Inc.

제조업체

Alliance Memory, Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM

메모리 크기

16Mb (1M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

166MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

2ns

접근 시간

5.4ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

50-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

공급자 장치 패키지

50-TSOP II

IS66WVC4M16ALL-7010BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

PSRAM

기술

PSRAM (Pseudo SRAM)

메모리 크기

64Mb (4M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

70ns

접근 시간

70ns

전압-공급

1.7V ~ 1.95V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

54-VFBGA

공급자 장치 패키지

54-VFBGA (6x8)

IS43TR85120A-125KBLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - DDR3

메모리 크기

4Gb (512M x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

800MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

20ns

전압-공급

1.425V ~ 1.575V

작동 온도

-40°C ~ 95°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

78-TFBGA

공급자 장치 패키지

78-TWBGA (9x10.5)

93LC66B-E/ST

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

4Kb (256 x 16)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

2MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

6ms

접근 시간

-

전압-공급

2.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

8-TSSOP

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