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IS43LD16128B-18BLI-TR

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참조 용

부품 번호 IS43LD16128B-18BLI-TR
PNEDA 부품 번호 IS43LD16128B-18BLI-TR
설명 IC DRAM 2G PARALLEL 533MHZ
제조업체 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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재고 있음 4,374
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예상 배송 7월 19 - 7월 24 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IS43LD16128B-18BLI-TR 리소스

브랜드 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IS43LD16128B-18BLI-TR
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
IS43LD16128B-18BLI-TR, IS43LD16128B-18BLI-TR 데이터 시트 (총 페이지: 145, 크기: 6,533.95 KB)
PDFIS43LD32640B-18BPLI 데이터 시트 표지
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IS43LD16128B-18BLI-TR 사양

제조업체ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷DRAM
기술SDRAM - Mobile LPDDR2-S4
메모리 크기2Gb (128M x 16)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수533MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지15ns
접근 시간-
전압-공급1.14V ~ 1.95V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TC)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스134-TFBGA
공급자 장치 패키지134-TFBGA (10x11.5)

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제조업체

Winbond Electronics

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - DDR

메모리 크기

256Mb (16M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

200MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

55ns

전압-공급

2.3V ~ 2.7V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

60-TFBGA

공급자 장치 패키지

60-TFBGA (8x13)

DS1250BL-100

Maxim Integrated

제조업체

Maxim Integrated

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

NVSRAM

기술

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

메모리 크기

4Mb (512K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

100ns

접근 시간

100ns

전압-공급

4.75V ~ 5.25V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

34-LPM

공급자 장치 패키지

34-LPM

M25P40-VMN3PB

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

4Mb (512K x 8)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

75MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ms, 5ms

접근 시간

-

전압-공급

2.3V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

MT53D256M64D4NY-046 XT:B TR

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - Mobile LPDDR4

메모리 크기

16Gb (256M x 64)

메모리 인터페이스

-

시계 주파수

2133MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.1V

작동 온도

-30°C ~ 105°C (TC)

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

CYK001M16SCAU-70BAXI

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

PSRAM

기술

PSRAM (Pseudo SRAM)

메모리 크기

16Mb (1M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

70ns

접근 시간

70ns

전압-공급

2.7V ~ 3.3V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

48-TFBGA

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