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IS42S16400F-6BL

IS42S16400F-6BL

참조 용

부품 번호 IS42S16400F-6BL
PNEDA 부품 번호 IS42S16400F-6BL
설명 IC DRAM 64M PARALLEL 54TFBGA
제조업체 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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재고 있음 5,400
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 7월 13 - 7월 18 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IS42S16400F-6BL 리소스

브랜드 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IS42S16400F-6BL
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
IS42S16400F-6BL, IS42S16400F-6BL 데이터 시트 (총 페이지: 59, 크기: 1,324.08 KB)
PDFIS45S16400F-7BLA2-TR 데이터 시트 표지
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IS42S16400F-6BL 사양

제조업체ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷DRAM
기술SDRAM
메모리 크기64Mb (4M x 16)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간5.4ns
전압-공급3V ~ 3.6V
작동 온도0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스54-TFBGA
공급자 장치 패키지54-TFBGA (8x8)

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Micron Technology Inc.

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메모리 크기

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시계 주파수

200MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

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작동 온도

-40°C ~ 85°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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제조업체

Maxim Integrated

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

NVSRAM

기술

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메모리 크기

1Mb (128K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

70ns

접근 시간

70ns

전압-공급

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작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

34-PowerCap Module

IS46DR16320D-3DBLA1-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - DDR2

메모리 크기

512Mb (32M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

333MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

450ps

전압-공급

1.7V ~ 1.9V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

84-TFBGA

공급자 장치 패키지

84-TWBGA (8x12.5)

W632GU6MB09J

Winbond Electronics

제조업체

Winbond Electronics

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - DDR3L

메모리 크기

2Gb (128M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

1.067GHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

20ns

전압-공급

1.283V ~ 1.45V

작동 온도

-40°C ~ 105°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

96-VFBGA

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96-VFBGA (7.5x13)

IS45S16160D-7BLA1

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM

메모리 크기

256Mb (16M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

143MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

5.4ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

54-TFBGA

공급자 장치 패키지

54-TFBGA (8x13)

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