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IS25LP016D-JNLE-TR

IS25LP016D-JNLE-TR

참조 용

부품 번호 IS25LP016D-JNLE-TR
PNEDA 부품 번호 IS25LP016D-JNLE-TR
설명 IC FLASH 16M SPI 133MHZ 8SOP
제조업체 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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재고 있음 148,808
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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IS25LP016D-JNLE-TR 리소스

브랜드 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IS25LP016D-JNLE-TR
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
IS25LP016D-JNLE-TR, IS25LP016D-JNLE-TR 데이터 시트 (총 페이지: 114, 크기: 1,950.31 KB)
PDFIS25WP016D-JLLE 데이터 시트 표지
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IS25LP016D-JNLE-TR 사양

제조업체ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈-
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷FLASH
기술FLASH - NOR
메모리 크기16Mb (2M x 8)
메모리 인터페이스SPI - Quad I/O, QPI, DTR
시계 주파수133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지800µs
접근 시간-
전압-공급2.3V ~ 3.6V
작동 온도-40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SOIC

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시리즈

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메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

8Kb (1K x 8)

메모리 인터페이스

I²C

시계 주파수

1MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

500ns

전압-공급

1.7V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-74A, SOT-753

공급자 장치 패키지

SOT-23-5

SST49LF016C-33-4C-NHE

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

SST49

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH

메모리 크기

16Mb (2M x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

33MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

10µs

접근 시간

-

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

32-LCC (J-Lead)

공급자 장치 패키지

32-PLCC (11.43x13.97)

MT53B2DAANK-DC

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - Mobile LPDDR4

메모리 크기

-

메모리 인터페이스

-

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

-

작동 온도

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

366-WFBGA

공급자 장치 패키지

366-WFBGA (15x15)

AT45DB081B-RI-2.5

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH

메모리 크기

8Mb (264 Bytes x 4096 pages)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

15MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

14ms

접근 시간

-

전압-공급

2.5V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

28-SOIC (0.342", 8.69mm Width)

공급자 장치 패키지

28-SOIC

CY14V101NA-BA25XI

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

NVSRAM

기술

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

메모리 크기

1Mb (64K x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

25ns

접근 시간

25ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

48-TFBGA

공급자 장치 패키지

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