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IRLU014PBF

IRLU014PBF

참조 용

부품 번호 IRLU014PBF
PNEDA 부품 번호 IRLU014PBF
설명 MOSFET N-CH 60V 7.7A I-PAK
제조업체 Vishay Siliconix
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IRLU014PBF 리소스

브랜드 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IRLU014PBF
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
IRLU014PBF, IRLU014PBF 데이터 시트 (총 페이지: 11, 크기: 798.27 KB)
PDFIRLR014TRR 데이터 시트 표지
IRLR014TRR 데이터 시트 페이지 2 IRLR014TRR 데이터 시트 페이지 3 IRLR014TRR 데이터 시트 페이지 4 IRLR014TRR 데이터 시트 페이지 5 IRLR014TRR 데이터 시트 페이지 6 IRLR014TRR 데이터 시트 페이지 7 IRLR014TRR 데이터 시트 페이지 8 IRLR014TRR 데이터 시트 페이지 9 IRLR014TRR 데이터 시트 페이지 10 IRLR014TRR 데이터 시트 페이지 11

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  • IRLU014PBF Distributor

IRLU014PBF 사양

제조업체Vishay Siliconix
시리즈-
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)7.7A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)4V, 5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs200mOhm @ 4.6A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs8.4nC @ 5V
Vgs (최대)±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds400pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)2.5W (Ta), 25W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
공급자 장치 패키지TO-251AA
패키지 / 케이스TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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Diodes Incorporated

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드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

38mOhm @ 3.6A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

4.3nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

339pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

940mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

SOT-23-3

패키지 / 케이스

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IRF7463PBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

14A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

2.7V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

8mOhm @ 14A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

51nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±12V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3150pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.5W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

8-SO

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

NTMFS4926NT3G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

9A (Ta), 44A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

7mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

17.3nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1004pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

920mW (Ta), 21.6W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

5-DFN (5x6) (8-SOFL)

패키지 / 케이스

8-PowerTDFN, 5 Leads

AUIRFN8401TR

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

84A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4.6mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.9V @ 50µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

66nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2170pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

4.2W (Ta), 63W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

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N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

80A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

5.7mOhm @ 80A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 58µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

82nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

6600pF @ 30V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

115W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

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TO-220-3

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