IRLR8103TRL
참조 용
| 부품 번호 | IRLR8103TRL |
| PNEDA 부품 번호 | IRLR8103TRL |
| 설명 | MOSFET N-CH 30V 89A DPAK |
| 제조업체 | Vishay Siliconix |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 5,184 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 7월 5 - 7월 10 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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IRLR8103TRL 리소스
| 브랜드 | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | IRLR8103TRL |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
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- Vishay Siliconix Distributor
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- IRLR8103TRL Distributor
IRLR8103TRL 사양
| 제조업체 | Vishay Siliconix |
| 시리즈 | HEXFET® |
| FET 유형 | N-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 30V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 89A (Ta) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 7mOhm @ 15A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 2V @ 250µA (Min) |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 50nC @ 5V |
| Vgs (최대) | ±20V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | - |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | - |
| 작동 온도 | - |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 공급자 장치 패키지 | D-Pak |
| 패키지 / 케이스 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 Automotive, AEC-Q101 FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 80V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 23A (Ta), 157A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 2.8mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 64nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 4120pF @ 40V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 3.8W (Ta), 166W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 패키지 / 케이스 8-PowerTDFN, 5 Leads |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 * FET 유형 - 기술 - 드레인-소스 전압 (Vdss) - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) - Rds On (최대) @ Id, Vgs - Vgs (th) (최대) @ Id - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - Vgs (최대) - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - FET 기능 - 전력 손실 (최대) - 작동 온도 - 장착 유형 - 공급자 장치 패키지 - 패키지 / 케이스 - |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 HEXFET® FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 17A (Ta), 68A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 4.9mOhm @ 17A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.4V @ 50µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 18nC @ 4.5V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1570pF @ 13V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 2.2W (Ta), 36W (Tc) 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 DIRECTFET™ SQ 패키지 / 케이스 DirectFET™ Isometric SQ |
제조업체 IXYS 시리즈 HiPerFET™, PolarP2™ FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 1000V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 5A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 2.8Ohm @ 2.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 6V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 33.4nC @ 10V Vgs (최대) ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1830pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 250W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 TO-263 (IXFA) 패키지 / 케이스 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
제조업체 Renesas Electronics America 시리즈 - FET 유형 P-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 20A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 48mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 34nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1650pF @ 10V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 1.2W (Ta), 38W (Tc) 작동 온도 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 TO-252 (MP-3ZK) 패키지 / 케이스 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
