IRLR3714TRRPBF
참조 용
| 부품 번호 | IRLR3714TRRPBF |
| PNEDA 부품 번호 | IRLR3714TRRPBF |
| 설명 | MOSFET N-CH 20V 36A DPAK |
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 3,708 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 7월 24 - 7월 29 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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IRLR3714TRRPBF 리소스
| 브랜드 | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | IRLR3714TRRPBF |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
| 데이터 시트 |
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IRLR3714TRRPBF 사양
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 시리즈 | HEXFET® |
| FET 유형 | N-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 20V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 36A (Tc) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 18A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 3V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 9.7nC @ 4.5V |
| Vgs (최대) | ±20V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 670pF @ 10V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 47W (Tc) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 공급자 장치 패키지 | D-Pak |
| 패키지 / 케이스 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Infineon Technologies 시리즈 HEXFET® FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 93A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 5.7mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.45V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 27nC @ 4.5V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 2160pF @ 10V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 79W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 D-Pak 패키지 / 케이스 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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제조업체 Rohm Semiconductor 시리즈 - FET 유형 P-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 2A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs 135mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 4.9nC @ 4.5V Vgs (최대) ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 430pF @ 10V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 1W (Ta) 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 TSMT3 패키지 / 케이스 SC-96 |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 1200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 71A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 20V Rds On (최대) @ Id, Vgs 34mOhm @ 50A, 20V Vgs (th) (최대) @ Id 2.3V @ 1mA (Typ) 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 179nC @ 20V Vgs (최대) +25V, -10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 2980pF @ 1000V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 300W (Tc) 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Chassis Mount 공급자 장치 패키지 SOT-227 패키지 / 케이스 SOT-227-4, miniBLOC |
