IRL1404ZSPBF
참조 용
| 부품 번호 | IRL1404ZSPBF |
| PNEDA 부품 번호 | IRL1404ZSPBF |
| 설명 | MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK |
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 6,210 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 7월 2 - 7월 7 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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IRL1404ZSPBF 리소스
| 브랜드 | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | IRL1404ZSPBF |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
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IRL1404ZSPBF 사양
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 시리즈 | HEXFET® |
| FET 유형 | N-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 40V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 75A (Tc) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 3.1mOhm @ 75A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 2.7V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 110nC @ 5V |
| Vgs (최대) | ±16V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 5080pF @ 25V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 230W (Tc) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 공급자 장치 패키지 | D2PAK |
| 패키지 / 케이스 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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제조업체 Rohm Semiconductor 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 1.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs 240mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 2.2nC @ 4.5V Vgs (최대) ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 80pF @ 10V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 320mW (Ta) 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 TUMT3 패키지 / 케이스 3-SMD, Flat Leads |
제조업체 Rohm Semiconductor 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 21A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 210mOhm @ 10.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 64nC @ 10V Vgs (최대) ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 2300pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 50W (Tc) 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 TO-220FM 패키지 / 케이스 TO-220-3 Full Pack |
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